[發(fā)明專利]光刻機曝光劑量控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910199446.0 | 申請日: | 2009-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN102081307A | 公開(公告)日: | 2011-06-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張俊;張志鋼;羅聞 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻 曝光 劑量 控制 方法 | ||
1.一種光刻機曝光劑量控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1,向光刻機的曝光劑量控制系統(tǒng)輸入?yún)?shù)和劑量控制參數(shù)的約束條件;
所述參數(shù)包括劑量系統(tǒng)性能偏好系數(shù)L_DA、客戶成本偏好系數(shù)L_COO、硬件參數(shù)和曝光劑量需求Dose_req;
步驟2,光刻機的曝光劑量控制系統(tǒng)對步驟1輸入的上述參數(shù)和上述劑量控制參數(shù)的約束條件進行分析,選擇偏好數(shù)學模型進行運算,得到劑量控制參數(shù);
步驟3,光刻機的曝光劑量控制系統(tǒng)輸出劑量控制參數(shù),控制光刻機進行曝光。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻機曝光劑量控制方法,其特征在于,所述劑量系統(tǒng)性能偏好系數(shù)L_DA的取值范圍為0≤L_DA≤1,所述客戶成本偏好系數(shù)L_COO的取值范圍為0≤L_COO≤1。
3.如權(quán)利要求2所述的光刻機曝光劑量控制方法,其特征在于,若L_DA+L_COO不等于1,對所述劑量系統(tǒng)性能偏好系數(shù)L_DA和客戶成本偏好系數(shù)L_COO進行歸一化處理,上述歸一化處理為用L_DA/(L_DA+L_COO)和L_COO/(L_DA+L_COO)分別取代L_DA和L_COO。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻機曝光劑量控制方法,其特征在于,步驟1中,所述硬件參數(shù)包括激光脈沖的有效能量Ep、掃描長度Lscan、有效狹縫寬度Wslit以及默認最大準備時間Tpreptime_max,所述激光脈沖的有效能量Ep由光刻膠和工藝確定。
5.如權(quán)利要求4所述的光刻機曝光劑量控制方法,其特征在于,步驟1中,所述劑量控制參數(shù)的約束條件包括:可變衰減器透過率VA的最大值VAmax、可變衰減器透過率VA的最小值VAmin,即VAmin≤VA≤VAmax,或者VA=1;脈沖頻率f的最大值fmax、脈沖頻率f的最小值fmin,即fmin≤f≤fmax;掃描速度V的最大值Vmax、掃描速度V的最小值Vmin,即Vmin≤V≤Vmax;有效狹縫脈沖個數(shù)N的最大值Nmax、有效狹縫脈沖個數(shù)N的最小值Nmin,即Nmin≤N≤Nmax。
6.如權(quán)利要求5所述的光刻機曝光劑量控制方法,其特征在于,所述步驟2中的偏好數(shù)學模型是綜合考慮劑量系統(tǒng)性能偏好系數(shù)L_DA和客戶成本偏好系數(shù)L_COO的算法,該算法根據(jù)輸入的劑量系統(tǒng)性能偏好系數(shù)和客戶成本偏好系數(shù),分配權(quán)重調(diào)整有效狹縫脈沖個數(shù),在劑量控制參數(shù)的約束條件下,設置脈沖頻率或者掃描速度,利用脈沖頻率、掃描速度、可變衰減器透過率、有效狹縫脈沖個數(shù)、有效狹縫寬度、曝光劑量需求和激光脈沖的有效能量之間的關(guān)系計算出掃描速度或脈沖頻率、可變衰減器透過率,并使脈沖頻率、掃描速度、可變衰減器透過率和有效狹縫脈沖個數(shù)均滿足約束條件。
7.如權(quán)利要求6所述的光刻機曝光劑量控制方法,其特征在于,所述步驟2中根據(jù)劑量系統(tǒng)性能偏好系數(shù)L_DA和客戶成本偏好系數(shù)L_COO分配權(quán)重調(diào)整有效狹縫脈沖個數(shù)N時,當L_COO趨近于0時,有效狹縫脈沖個數(shù)N趨近于Nmax,當L_DA趨近于0時,有效狹縫脈沖個數(shù)N趨近于Nmin。
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