[發明專利]30V雙擴散MOS器件及18V雙擴散MOS器件

有效

• 申請號: 200910199437.1
• 申請日: 2009-11-26
• 公開（公告）號: CN101719513A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發明（設計）人: 令海陽;劉龍平;陳愛軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L23/528
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種30V雙擴散MOS器件，包括高壓阱區；形成于所述高壓阱區中的 有源區；形成于所述高壓阱區上的柵極；分別形成于所述柵極左側的源區和形 成于所述柵極右側的漏區；漏端漂移區，形成于所述高壓阱區和所述漏區之間； 源端接觸孔，形成于所述源區上；漏端接觸孔，形成于所述漏區上；其特征在 于，所述漏區右邊界到所述有源區右邊界的距離為0，所述漏端接觸孔右邊界到 所述漏區右邊界的距離小于0.28微米。

2.如權利要求1所述的30V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述30V雙 擴散MOS器件采用0.18微米工藝。

3.如權利要求1所述的30V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述漏端接 觸孔右邊界到所述漏區右邊界的距離為0.1微米或0.2微米。

4.如權利要求1所述的30V雙擴散MOS器件，其特征在于，還包括源端 漂移區，所述源端漂移區形成于所述高壓阱區和所述源區之間，所述源區左邊 界到所述有源區左邊界的距離小于0.5微米。

5.如權利要求4所述的30V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述源區左 邊界到所述有源區左邊界的距離為0或0.2微米或0.3微米。

6.如權利要求5所述的30V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述源端接 觸孔左邊界到所述源區左邊界的距離小于0.28微米。

7.如權利要求6所述的30V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述源端接 觸孔左邊界到所述源區左邊界的距離為0.1微米或0.2微米。

8.一種18V雙擴散MOS器件，包括高壓阱區；形成于所述高壓阱區中的 有源區；形成于所述高壓阱區上的柵極；分別形成于所述柵極左側的源區和形 成于所述柵極右側的漏區；漏端漂移區，形成于所述高壓阱區和所述漏區之間； 源端接觸孔，形成于所述源區上；漏端接觸孔，形成于所述漏區上；其特征在 于，所述漏區右邊界到所述有源區右邊界的距離為0，所述漏端接觸孔右邊界到 所述漏區右邊界的距離小于0.2微米。

9.如權利要求8所述的18V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述18V雙 擴散MOS器件采用0.18微米工藝。

10.如權利要求8所述的18V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述漏端接 觸孔右邊界到所述漏區右邊界的距離為0.1微米或0.15微米。

11.如權利要求8所述的18V雙擴散MOS器件，其特征在于，還包括源端 漂移區，所述源端漂移區形成于所述高壓阱區和所述源區之間，所述源區左邊 界到所述有源區左邊界的距離小于0.5微米。

12.如權利要求11所述的18V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述源區 左邊界到所述有源區左邊界的距離為0或0.2微米或0.3微米。

13.如權利要求8所述的18V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述源端接 觸孔左邊界到所述源區左邊界的距離小于0.2微米。

14.如權利要求13所述的18V雙擴散MOS器件，其特征在于，所述源端 接觸孔左邊界到所述源區左邊界的距離為0.1微米或0.15微米。