[發(fā)明專利]一種非選擇性生長鍺硅外延的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910199435.2 | 申請日： | 2009-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN101724896A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃錦才 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 選擇性 生長 外延 方法 | ||
1.一種非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，包括以下步驟：a、 提供表面具有單晶硅區(qū)和隔離結(jié)構(gòu)區(qū)的晶圓；b、提供具有反應(yīng)腔的外延生長機(jī) 臺，該反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置有晶圓承載盤；C、將該晶圓設(shè)置在該晶圓承載盤上；d、 開啟外延生長機(jī)臺且將反應(yīng)腔的溫度和壓強(qiáng)分別調(diào)控至烘烤溫度和烘烤壓強(qiáng)； e、向反應(yīng)腔通入烘烤氣體以進(jìn)行預(yù)設(shè)時段的烘烤；f、向反應(yīng)腔中通入氣態(tài)硅源， 且通過化學(xué)氣相沉積工藝在晶圓表面生成預(yù)設(shè)厚度的籽硅層；g、向反應(yīng)腔同時 通入氣態(tài)硅源和氣態(tài)鍺源，且通過化學(xué)氣相沉積工藝分別在單晶硅區(qū)和隔離結(jié) 構(gòu)區(qū)生成單晶鍺硅層和多晶鍺硅層，其中，該化學(xué)氣相沉積工藝的溫度為660 ℃，沉積壓強(qiáng)為13.332千帕；h、向反應(yīng)腔中通入氣態(tài)硅源且通過化學(xué)氣相沉 積工藝在晶圓表面生成覆蓋層，其中，其中，該化學(xué)氣相沉積工藝的溫度為680 ℃，沉積壓強(qiáng)為13.332千帕。
2.如權(quán)利要求1所述的非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，在步 驟a中，該晶圓經(jīng)氫氟酸清洗為最后步驟的化學(xué)清洗，該隔離結(jié)構(gòu)區(qū)為淺溝槽 隔離結(jié)構(gòu)區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，在步 驟d中，該烘烤溫度范圍為800至950攝氏度該烘烤壓強(qiáng)范圍為2至3千帕。
4.如權(quán)利要求1所述的非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，在步 驟e中，該烘烤氣體為氫氣，該預(yù)設(shè)時段范圍為100至120秒。
5.如權(quán)利要求1所述的非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，在步 驟f中，該化學(xué)氣相沉積工藝的溫度范圍為650至700攝氏度，沉積壓強(qiáng)范圍 為12至14千帕，該預(yù)設(shè)厚度范圍為100至200埃。
6.如權(quán)利要求1所述的非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，在步 驟g中，還同時向反應(yīng)腔中通入氣態(tài)摻雜源對單晶鍺硅層和多晶鍺硅層進(jìn)行摻 雜。
7.如權(quán)利要求1所述的非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，該氣 態(tài)硅源為硅烷，該氣態(tài)鍺源為鍺烷。
8.如權(quán)利要求1所述的非選擇性生長鍺硅外延的方法，其特征在于，該外 延生長機(jī)臺為減壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺，該化學(xué)氣相沉積工藝為減壓化學(xué)氣相沉 積工藝。
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