[發明專利]高品質大碳化硅單晶的制備方法及用其制備的碳化硅單晶有效
| 申請號： | 200910199338.3 | 申請日： | 2009-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN101701358A | 公開（公告）日： | 2010-05-05 |
| 發明（設計）人： | 嚴成鋒;陳之戰;施爾畏;肖兵;陳義 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 許亦琳;余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 品質 碳化硅 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高品質大碳化硅單晶的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)將籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上，加熱使富碳聚合物熱固化；
(2)在惰性氣氛中，加熱使富碳聚合物熱解碳化；
(3)采用籽晶引導氣相輸運技術(PVT)，在碳化粘接好的籽晶上生長碳化硅晶體；
其中，所述富碳聚合物為熱固性樹脂，所述熱固性樹脂選自改性酚醛樹脂、改性糠 酮樹脂和改性環氧樹脂中的一種或多種；所述熱固性樹脂熱解后殘碳率大于60％；所述碳 化硅晶體的直徑在2英寸以上。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征還在于，步驟(1)中，所述熱固化的加熱溫度為 150～250℃。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征還在于，步驟(2)中，所述熱解碳化的加熱溫度 為800～1200℃。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征還在于，步驟(3)中，所述碳化硅晶體的生長溫 度大于2000℃。
5.根據權利要求1～4中任一權利要求所述的制備方法，所述單晶的晶型為單一的4H、6H、 15R或3C。
6.根據權利要求1～4中任一權利要求所述的制備方法，所述單晶為n型或p型摻雜的碳 化硅晶體。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所，未經中國科學院上海硅酸鹽研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910199338.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種抗菌聚酯纖維
- 下一篇：一種提高移動門戶網站動態頁面訪問速度的方法和裝置
