[發明專利]STI的形成方法

有效

• 申請號: 200910199227.2
• 申請日: 2009-11-20
• 公開（公告）號: CN102074495A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發明（設計）人: 張海洋;王新鵬;張世謀
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種STI的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供半導體基底，半導體基底上具有刻蝕阻擋層，在所述刻蝕阻擋層上具有光掩膜圖形；

利用光掩膜圖形做掩膜，對所述刻蝕阻擋層進行第一刻蝕，從而在刻蝕阻擋層中形成V型第一開口；

利用光掩膜圖形做掩膜，沿所述第一開口對所述刻蝕阻擋層進行第二刻蝕，直到露出半導體基底，形成和第一開口貫通的V型第二開口，所述第二開口側壁的傾斜角小于第一開口側壁的傾斜角；

利用所述刻蝕阻擋層做掩膜，對所述半導體基底進行刻蝕，從而在半導體基底內形成溝槽；

利用絕緣介質填充所述溝槽。

2.根據權利要求1所述的STI的形成方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層包括氮化物層。

3.根據權利要求1所述的STI的形成方法，其特征在于，所述第一開口的深度為所述刻蝕停止層厚度的1/3至2/3。

4.根據權利要求1所述的STI的形成方法，其特征在于，所述第二開口的深度為所述刻蝕停止層厚度的1/3至2/3。

5.根據權利要求1所述的STI的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕中利用的刻蝕氣體中氫離子和氟離子的摩爾比大于所述第二刻蝕中利用的刻蝕氣體中氫離子和氟離子的摩爾比。

6.根據權利要求5所述的STI的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕的刻蝕氣體包括CF₄和CH₂F₂，其中CF₄和CH₂F₂流量比為1∶1至1∶4。

7.根據權利要求5所述的STI的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕的刻蝕氣體包括CF₄和CHF₃，其中CF₄和CHF₃流量比為4∶1至1∶1。

8.根據權利要求1所述的STI的形成方法，其特征在于，對半導體基底的刻蝕和第二刻蝕中利用的刻蝕氣體中氫離子和氟離子的摩爾比相同。

9.根據權利要求1所述的STI的形成方法，其特征在于，所述半導體基底包括襯底和位于襯底上的氧化硅層。

10.根據權利要求7所述的STI的形成方法，其特征在于，所述第一開口側壁的傾斜角度為45度到85度，所述第二開口側壁和所述溝槽側壁的傾斜角度為10度到45度。