[發(fā)明專利]太陽能電池的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910199212.6 | 申請日： | 2009-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN102074613A | 公開（公告）日： | 2011-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 涂火金;沈憶華;朱虹 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括在硅片的受光面形成PN結(jié)，所述形成PN結(jié)的過程包括：在硅片受光面形成粗糙的多晶硅層；對具有所述粗糙的多晶硅層的硅片的受光面進行離子擴散，
以及，保留離子擴散過程中形成的鈍化反應(yīng)物。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成粗糙的多晶硅層采用化學氣相沉積的方法，采用SiH4作為反應(yīng)氣體，反應(yīng)的溫度為500～620℃。
3.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)溫度為568±2℃。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述粗糙的多晶硅層的厚度為200～1000
5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述硅片為P型硅片，對具有所述粗糙的多晶硅層的硅片的受光面進行離子擴散包括：在三氯氧磷、氮氣、氧氣的氛圍中進行離子擴散，擴散時的溫度為700～1000℃。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述離子擴散過程中形成的鈍化反應(yīng)物為磷玻璃。
7.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包括：在形成PN結(jié)之前，先清潔硅片。
8.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包括：在形成PN結(jié)之后，對硅片進行邊緣絕緣處理。
9.如權(quán)利要求8所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，在邊緣絕緣處理后，依次進行如下步驟：在所述粗糙的多晶硅層表面形成抗反射層、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。
10.如權(quán)利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述抗反射層為氧化硅或氮化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
