[發明專利]阻斷型浪涌保護器件

有效

• 申請號: 200910199069.0
• 申請日: 2009-11-19
• 公開（公告）號: CN101702509A
• 公開（公告）日: 2010-05-05
• 發明（設計）人: 蘇海偉;張關保;張婷;吳興農;李星
• 申請（專利權）人: 上海長園維安微電子有限公司
• 主分類號: H02H3/22
• 分類號: H02H3/22;H02H3/06
• 代理公司: 上海東亞專利商標代理有限公司 31208
• 代理人: 董梅

1.一種阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：包括第一耗盡型場效應晶體管、第二耗盡型場效應晶體管以及第一電阻，所述浪涌保護器件的第一耗盡型場效應晶體管的源極與第二耗盡型場效應晶體管的源極相連，構成串聯結構，其中，所述的第一耗盡型場效應晶體管的漏極與模塊輸入端相連，柵極與模塊輸出端相連；第二耗盡型場效應晶體管的漏極與模塊輸出端相連，柵極與第一電阻連接，第一電阻再與模塊輸入端相連；

所述的浪涌保護器件還包括反饋分壓器，反饋分壓器并聯于第二耗盡型場效應晶體管的漏極和源極之間，反饋分壓器中間節點與第一耗盡型場效應晶體管的柵極相連，第一耗盡型場效應晶體管的柵極經該反饋分壓器與模塊輸出端相連。

2.根據權利要求1所述的阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：所述反饋分壓器由第三電阻和第四電阻構成，第三電阻和第四電阻在第二耗盡型場效應晶體管源極和漏極之間并聯。

3.根據權利要求1或2所述的阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：所述的第一、第二耗盡型場效應晶體管為金屬氧化物半導體場效應晶體管、結型場效應晶體管及靜電感應場效應晶體管中的一種。

4.根據權利要求3所述的阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：所述的第一耗盡型場效應晶體管為金屬氧化物半導體場效應晶體管。

5.根據權利要求4所述的阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：所述的第一耗盡型場效應晶體管為高壓金屬氧化物半導體場效應晶體管。

6.根據權利要求3所述的阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：所述浪涌保護器件的第一耗盡型場效應晶體管的導電溝道類型與所述第二耗盡型場效應晶體管的導電溝道類型相反。

7.根據權利要求6所述的阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：當浪涌保護器件用于阻斷正向浪涌時，所述第一耗盡型場效應晶體管為耗盡型N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述第二耗盡型場效應晶體管為耗盡型P溝道結型場效應晶體管；當浪涌保護器件用于阻斷反向浪涌時，所述第一耗盡型場效應晶體管為耗盡型P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述第二耗盡型場效應晶體管為耗盡型N溝道結型場效應晶體管。

8.根據權利要求7所述的阻斷型浪涌保護器件，其特征在于：所述的第一耗盡型場效應晶體管為高壓耗盡型N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，第二耗盡型場效應晶體管為耗盡型P溝道結型場效應晶體管，在第一耗盡型場效應晶體管的漏源極內部設置一個高壓的反向二極管。