[發(fā)明專利]碲鎘汞微臺面紅外探測芯片的光敏感元列陣成形方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910198967.4 | 申請日： | 2009-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN101740502A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 葉振華;尹文婷;馬偉平;黃建;林春;胡曉寧;丁瑞軍;何力 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L21/82 | 分類號： | H01L21/82;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碲鎘汞微 臺面 紅外 探測 芯片 敏感 列陣 成形 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碲鎘汞微臺面紅外探測芯片的光敏感元列陣成形方法，其特征在于包括以下步驟：
A.采用傳統(tǒng)的光刻技術，在HgCdTe紅外焦平面探測芯片表面制作用于形成深微臺面列陣芯片隔離溝槽的光刻膠掩蔽膜圖形，掩蔽膜厚度為1-6μm，掩蔽膜圖形開口寬度為1-8μm；
B.采用旋轉涂敷的方法，往光刻膠掩蔽膜的溝槽圖形內(nèi)填充腐蝕碲鎘汞材料的溴與氫溴酸腐蝕液，溴與氫溴酸的體積配比為0.1-1％∶1，旋轉涂敷的轉速為1000-4000轉/分鐘，旋轉涂敷時間為10-40秒；
C.通過控制腐蝕時間來達到控制HgCdTe微臺面芯片隔離溝槽的腐蝕深度，腐蝕時間為5-150秒；
D.腐蝕完用去離子水清洗碲鎘汞紅外焦平面探測芯片光敏感元列陣隔離溝槽內(nèi)殘余的腐蝕液，再用丙酮去除深微臺面芯片光敏感元列陣表層的光刻膠掩蔽膜圖形，最終完成深微臺面芯片光敏感元列陣的52％高占空比成形。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
