[發明專利]一種多晶硅層間介質刻蝕方法有效
| 申請號： | 200910198788.0 | 申請日： | 2009-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN102054679A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 吳愛明;李俊;莊曉輝;張世棟;王三坡 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 硅層間 介質 刻蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅層間介質的刻蝕方法，應用于閃存中制造外圍電路區過程中，該方法包括：
提供晶圓，所述晶圓的器件面上具有前層氧化層；
在所述前層氧化層上沉積多晶硅層；
在所述多晶硅層進行第一光刻后第一干法刻蝕存儲單元區的多晶硅層形成浮柵；
在所述多晶硅層上沉積多晶硅層間介質，包括上氧化層，氮化層和下氧化層三部分；
對所述外圍電路區多晶硅層間介質進行第二光刻和第二干法刻蝕；
第三干法刻蝕外圍電路區多晶硅層；
濕法刻蝕外圍電路區前層氧化層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述沉積多晶硅層是用爐管生長。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二干法刻蝕所用的氣體是三氟甲烷CHF3、氬氣Ar和氧氣O2。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二干法刻蝕是完全去除多晶硅層間介質，刻蝕停止在多晶硅層。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三干法刻蝕是用等離子氣體刻蝕。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三干法刻蝕是完全去除多晶硅層，刻蝕停止在氧化層。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述濕法刻蝕外圍電路區前層氧化層是用低濃度緩沖層氧化物刻蝕方法。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
