[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 200910198581.3
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN102054684A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 王新鵬;韓秋華;張海洋;孫武
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供晶片；

在所述晶片上形成緩沖層，所述緩沖層的厚度從邊緣向中央漸變；

在所述緩沖層上形成底部抗反射層；

在所述底部抗反射層上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光和顯影，從而在光刻膠層中形成開口；

利用所述光刻膠層做掩膜，對所述底部抗反射層、緩沖層進行第一刻蝕，在底部抗反射層和緩沖層中形成開口；

利用所述緩沖層做掩膜，對所述晶片進行第二刻蝕，在晶片中形成溝槽。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，

所述第一刻蝕步驟中對晶片邊緣區域的刻蝕速率大于對晶片中央區域的刻蝕速率；

所述緩沖層的厚度從邊緣向中央遞減。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕的時間大于或等于將晶片邊緣區域的緩沖層刻干凈所需要的時間。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕步驟中對晶片邊緣區域的刻蝕速率小于對晶片中央區域的刻蝕速率；

所述緩沖層的厚度從邊緣向中央遞增。

5.根據權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕的時間大于或等于將晶片中央區域的緩沖層形成開口所需要的時間。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述形成緩沖層的步驟包括：

向晶片上滴注緩沖層，并且旋轉晶片；

對緩沖層進行烘焙。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述晶片的轉速為2000RPM至2500RPM。

8.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述晶片的轉速為4000RPM至5000RPM。

9.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，晶片的中央區域和晶片邊緣區域的緩沖層的厚度差為40埃±10埃。

10.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕使用的刻蝕氣體包括N₂、H₂、CO、SO₂中的一種或其組合。

11.根據權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括刻蝕的稀釋氣體He、Ar中的一種或其組合。