[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910198568.8 | 申請日： | 2009-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN102054771A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄒立;羅飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/82 | 分類號： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 制作方法 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底中形成有用于隔離有源區(qū)的隔離結構，所述的有源區(qū)包括用于形成MOS晶體管的區(qū)域和用于形成發(fā)光二極管的區(qū)域；
在所述半導體襯底的用于形成MOS晶體管的區(qū)域上形成柵極結構；
在所述半導體襯底的用于形成發(fā)光二極管的區(qū)域上形成不連續(xù)分布的第一氧化層；
在所述的半導體襯底以及第一氧化層上形成第二氧化層，并在所述的第二氧化層上形成暴露出發(fā)光二極管區(qū)域的第一光刻膠圖案層；
以所述的第一光刻膠圖案層為掩膜，進行第一離子注入，形成與半導體襯底摻雜類型相反的第一摻雜區(qū)域；
去除所述第一光刻膠圖案層，并在所述的柵極結構側壁形成覆蓋第二氧化層的側墻；
在所述的半導體襯底上形成暴露出發(fā)光二極管區(qū)域的第二光刻膠圖案層；
以所述的第二光刻膠圖案層為掩膜，進行第二離子注入，形成與第一摻雜區(qū)域的摻雜類型相反的覆蓋層，去除所述第二光刻膠圖案層。
2.根據(jù)權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一氧化層為氧化硅。
3.根據(jù)權利要求2所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度為200至500埃。
4.根據(jù)權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底為P型摻雜，所述第一摻雜區(qū)域為N型摻雜，所述覆蓋層為P型摻雜。
5.根據(jù)權利要求4所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜離子為磷離子。
6.根據(jù)權利要求5所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，磷離子的注入工藝為：離子注入能量為150至200Kev，離子注入劑量為3E12至3E13atoms/cm2。
7.根據(jù)權利要求4所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述覆蓋層為P型摻雜離子為氟化硼離子。
8.根據(jù)權利要求7所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，氟化硼離子的注入工藝為：摻雜能量為10至60Kev，離子注入劑量為2E12至2E13atoms/cm2。
9.根據(jù)權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述側墻為氮化硅-氧化硅的復合結構。
10.根據(jù)權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述第二氧化層材料為氧化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
