[發明專利]MOS晶體管器件柵氧化層完整性測試的方法有效
| 申請號： | 200910198562.0 | 申請日： | 2009-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN101728293A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | 高超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 晶體管 器件 氧化 完整性 測試 方法 | ||
1.一種MOS晶體管器件柵氧化層完整性測試的方法，其特征在于，包括 以下步驟：
提供一測試電源；
將多個待測MOS晶體管器件分別通過電可編程電熔絲連接于所述測試電 源；
檢測此時所述MOS晶體管器件漏電流；
當所述漏電流突然變化時，開啟偵測裝置，檢測所述MOS晶體管器件上 的失效點；
比較測試電壓與MOS晶體管器件柵氧化層的擊穿電壓，當所述測試電源 提供的測試電壓超過所述MOS晶體管器件柵氧化層的擊穿電壓時，停止進行測 試，當所述測試電源提供的測試電壓未超過所述MOS晶體管器件柵氧化層的擊 穿電壓時，再次檢測此時所述MOS晶體管器件漏電流。
2.根據權利要求1所述的MOS晶體管器件柵氧化層完整性測試的方法， 其特征在于，所述測試電源為斜坡電壓源。
3.根據權利要求2所述的MOS晶體管器件柵氧化層完整性測試的方法， 其特征在于，還包括：
當所述斜坡電壓源提供的測試電壓超過所述MOS晶體管器件柵氧化層的 擊穿電壓時便停止進行測試。
4.根據權利要求1所述的MOS晶體管器件柵氧化層完整性測試的方法， 其特征在于，所述偵測裝置包括光學顯微鏡。
5.根據權利要求1所述的MOS晶體管器件柵氧化層完整性測試的方法， 其特征在于，所述偵測裝置包括紅外熱感應模塊。
6.根據權利要求1所述的MOS晶體管器件柵氧化層完整性測試的方法， 其特征在于，所述偵測裝置包括微光顯微鏡。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
