[發(fā)明專利]監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910198488.2
• 申請(qǐng)日: 2009-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN102053506A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/207
• 分類號(hào): G03F7/207;G03F7/20
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，包括：

對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理、打底膠，并形成光刻膠膜；

利用固定的曝光能量和漸變的曝光機(jī)焦平面偏移值對(duì)所述光刻膠膜進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行后烘并顯影，形成圖案；

測(cè)量所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸，得到關(guān)鍵尺寸與所述曝光機(jī)焦平面偏移值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

計(jì)算得到所述曝光機(jī)的第一最佳焦平面；

重復(fù)以上步驟，得到所述曝光機(jī)的第二最佳焦平面；

如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，則確定所述曝光機(jī)的聚焦發(fā)生偏移。

2.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所述圖案是圓形的圖案。

3.如權(quán)利要求2所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸是所述曝光機(jī)的一個(gè)曝光場(chǎng)中多個(gè)圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸。

4.如權(quán)利要求2所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸是所述曝光機(jī)的多個(gè)曝光場(chǎng)中圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，將所述曝光機(jī)的數(shù)值孔徑調(diào)到最大。

6.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括：

根據(jù)第二最佳焦平面與第一最佳焦平面之差調(diào)節(jié)所述曝光機(jī)的聚焦。

7.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，在形成光刻膠膜之前進(jìn)一步包括：在所述半導(dǎo)體晶圓上形成底部抗反射涂層，并烘焙。

8.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，在形成光刻膠膜之后進(jìn)一步包括：在所述半導(dǎo)體晶圓上形成頂部抗反射涂層，并烘焙。

9.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所述曝光機(jī)是浸沒式曝光機(jī)；

在形成光刻膠膜之后進(jìn)一步包括，在所述光刻膜之上形成頂部涂層。