[發(fā)明專利]源跟隨晶體管,象素結(jié)構(gòu)及電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910198481.0
• 申請(qǐng)日: 2009-11-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102054863A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙立新;李杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種源跟隨晶體管，其特征在于，所述源跟隨晶體管的阱與其他同種導(dǎo)電類(lèi)型的區(qū)域隔離，所述源跟隨晶體管的源和阱電學(xué)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源跟隨晶體管，其特征在于，所述其他同種導(dǎo)電類(lèi)型的區(qū)域包括其他同種導(dǎo)電類(lèi)型的阱和/或基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源跟隨晶體管，包括：

第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體基底；

與第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱，形成于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型基底中；

第一導(dǎo)電類(lèi)型源，形成于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱中；以及

電學(xué)連接結(jié)構(gòu)，電學(xué)連接所述第一導(dǎo)電類(lèi)型源和第二導(dǎo)電類(lèi)型阱。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的源跟隨晶體管，還包括：

第一導(dǎo)電類(lèi)型漏，形成于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱中。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的源跟隨晶體管，還包括：

第一導(dǎo)電類(lèi)型漏，形成于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱之外，與所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱相鄰，且與所述基底連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源跟隨晶體管，包括：

半導(dǎo)體基底；

第一導(dǎo)電類(lèi)型埋層，形成于所述半導(dǎo)體基底中；

與第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱，形成于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型埋層中；

第一導(dǎo)電類(lèi)型源，形成于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱中；以及

電學(xué)連接結(jié)構(gòu)，電學(xué)連接所述第一導(dǎo)電類(lèi)型源和第二導(dǎo)電類(lèi)型阱。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的源跟隨晶體管，還包括：

第一導(dǎo)電類(lèi)型漏，形成于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱中。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的源跟隨晶體管，還包括：

第一導(dǎo)電類(lèi)型漏，形成于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱之外，與所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱相鄰，且與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型埋層連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的源跟隨晶體管，其特征在于，所述電學(xué)連接結(jié)構(gòu)包括：

兩個(gè)金屬接觸，分別接觸所述源和阱；以及

金屬層，與所述兩個(gè)金屬接觸分別電學(xué)連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的源跟隨晶體管，其特征在于，所述電學(xué)連接結(jié)構(gòu)包括：

金屬硅化物層，形成于所述源和阱上，電學(xué)連接所述源和阱。

11.根據(jù)權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的源跟隨晶體管，還包括：

介質(zhì)埋層和/或側(cè)壁，用于隔離所述阱和其他區(qū)域，

其中，所述介質(zhì)埋層和側(cè)壁材料為以下物質(zhì)中的一種或任多種：氧化硅，氮化硅，氮氧化硅。

12.一種制造源跟隨晶體管的方法，包括在半導(dǎo)體基底中形成阱以及在所述阱中形成源跟隨晶體管，其特征在于，所述阱與其他同種導(dǎo)電類(lèi)型的區(qū)域隔離，所述源跟隨晶體管的源和阱電學(xué)連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造源跟隨晶體管的方法，包括以下步驟：

a.在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體基底中形成與第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱；

b.在所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱中形成第一導(dǎo)電類(lèi)型源；以及

c.電學(xué)連接所述第一導(dǎo)電類(lèi)型源和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造源跟隨晶體管的方法，包括以下步驟：

a.在半導(dǎo)體基底中形成第一導(dǎo)電類(lèi)型埋層；

b.在所述第一導(dǎo)電類(lèi)型埋層中形成與第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱；

c.在所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱中形成第一導(dǎo)電類(lèi)型源；以及

d.電學(xué)連接所述第一導(dǎo)電類(lèi)型源和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型阱。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的制造源跟隨晶體管的方法，還包括以下步驟：

在所述阱周?chē)纬山橘|(zhì)埋層和/或側(cè)壁。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造源跟隨晶體管的方法，其特征在于，所述形成介質(zhì)埋層包括在所述半導(dǎo)體基底中注入氧離子，氮離子，或者兩者的結(jié)合，形成位于所述阱下方的氧化硅，氮化硅或者氮氧化硅介質(zhì)埋層；所述形成側(cè)壁包括在所述半導(dǎo)體基底中形成淺溝道隔離。