[發明專利]一種單分散、均一單核擔載的氧化硅包裹疏水納米晶的制備方法有效

申請號：	200910198408.3	申請日：	2009-11-06
公開（公告）號：	CN102049052A	公開（公告）日：	2011-05-11
發明（設計）人：	陳風;步文博;施劍林	申請（專利權）人：	中國科學院上海硅酸鹽研究所
主分類號：	A61K49/08	分類號：	A61K49/08;A61K49/18
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	200050***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種分散均一單核氧化包裹疏水納米制備方法
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【權利要求書】：

1.一種單分散、均一單核擔載的氧化硅包裹疏水納米晶的制備方法，其特征在于：保證超順磁性納米顆粒濃度足夠高的前提下，通過精確控制正硅酸四乙酯(TEOS)的引入速度，可以有效地抑制體系中二氧化硅(SiO₂)的均相形核，并顯著降低體系顆粒間的團聚。SPION?@?SiO₂功能復合核殼結構尺度可以有效地控制在50nm以下，實驗結果具有較高的可重復性。

2.按權利要求1所述的一種單分散、均一單核擔載的氧化硅包裹疏水納米晶的制備方法，其特征在于，制備尺寸小于50nm、單分散、尺度均一，單核擔載的SPION?@?SiO₂復合納米結構的工藝是：在非離子表面活性劑IgepalCO-520-環己烷溶液-氨水-超順磁性納米顆粒這一反微乳液體系中，控制超順磁性納米顆粒的濃度在0.688mg/mL以上，正硅酸四乙酯的引入速度控制在1～2mL/h，反應時間在2～4天。

3.按權利要求1所述的一種單分散、均一單核擔載的氧化硅包裹疏水納米晶的制備方法，其特征在于，適用于其它疏水的無機功能納米顆粒的SiO₂表面修飾，從而獲得高質量的尺度納米級可控的SiO₂包裹功能復合納米核殼結構。

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