[發明專利]巨場致應變鈦酸鋇單晶的制備方法

無效

• 申請號: 200910198401.1
• 申請日: 2009-11-06
• 公開（公告）號: CN102051688A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 羅豪甦;周丹;趙祥永;李曉兵;林迪;張欽輝;徐海清;王升;狄文寧
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C30B30/02
• 分類號: C30B30/02;C30B15/00;C30B29/32
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1.巨場致應變鈦酸鋇單晶的制備方法，通過摻雜微量三價元素以及橫向施加電場升溫老化來制備巨場致應變鈦酸鋇單晶的方法。

2.按權利要求1所述的巨場致應變鈦酸鋇單晶的制備方法，其特征在于，采用頂部籽晶溶液法(TSSG)在大氣氣氛中生長鈦酸鋇單晶。在碳酸鋇和二氧化鈦摩爾數比為35∶30的生長原料中加入20-300ppm微量的三價元素。

3.按權利要求1或2所述的巨場致應變鈦酸鋇單晶的制備方法，其特征在于，對生長的鈦酸鋇單晶進行定向、切割加工，使其長寬厚分別沿著[100]、[010]和[001]，分別在樣品的寬度和厚度方向的面上制備電極。

4.按權利要求1或2所述的巨場致應變鈦酸鋇單晶的制備方法，其特征在于，將鈦酸鋇樣品升溫到居里溫度以下的某一溫度(＜130℃)，同時在單晶樣品的側面電極施加一略高于矯頑場的電場(＞150V/mm)，保持條件老化一定時間(＞1天)，使得單晶中的疇沿老化電場排列形成單疇化結構，同時單晶中缺陷偶極矩的電極化方向沿著老化電場方向取向。

5.按權利要求1或2所述的巨場致應變鈦酸鋇單晶的制備方法，其特征在于，在厚度方向(即垂直于老化電場的方向)上施加交變電場獲得可逆的巨大場致應變，其應變量能夠達到0.9％以上。

6.按權利要求1或2所述的巨場致應變鈦酸鋇單晶的制備方法，其特征在于應用在超大應變及非線性驅動器中。