[發明專利]一種研磨方法

有效

• 申請號: 200910198394.5
• 申請日: 2009-11-06
• 公開（公告）號: CN102049729A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 李健;胡駿;杜建
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;H01L21/302
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

【技術領域】

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種研磨方法。

【背景技術】

現有技術中，化學機械研磨通常采用的是固定時間研磨的方式，將待研磨的介質層從某一膜層厚度(如1000nm)研磨到另一膜層厚度(如600nm)。而研磨設備的研磨速率通常是不穩定的，每次都會有一定的偏差。在固定時間的情況下，我們會發現在該時間段內產品的實際厚度是上下波動的，并不能穩定在相對固定的范圍內。

附圖1所示是在生產線上在線監測獲得的不同批次產品的厚度值，橫坐標代表時間，縱坐標代表每個批次的表面薄膜的研磨厚度，其中各個批次的累計研磨時間固定為一天。從圖中可以看出，各個批次之間的厚度變化較為明顯，并且這一變化并沒有固定的規律，很難在每個批次之間按照固定的變化趨勢對研磨時間進行調整。

因此，現有技術中由于研磨速率不穩定帶來的最終產品厚度變化明顯，會對后續的光刻工藝造成潛在的威脅。

【發明內容】

本發明所要解決的技術問題是，提供一種研磨方法，能夠降低各個批次的產品之間的厚度差異，以保證后續光刻工藝的順利進行。

為了解決上述問題，本發明提供了一種研磨方法，包括如下步驟：測試一研磨設備的實際研磨速率V_r1；根據所述實際研磨速率V_r1計算其后一階段的實際研磨時間T₂。

作為可選的技術方案，根據所述研磨速率V_r1計算其后一階段的實際研磨時間T₂的步驟包括：將所述實際研磨速率V_r1作為所述后一階段的參考研磨速率V_f2；根據所述后一階段的研磨厚度L₂與所述參考研磨速率V_f2計算所述實際研磨時間T₂，計算式為：T₂＝L₂/V_f2。

作為可選的技術方案，根據所述研磨速率V_r1計算其后一階段的實際研磨時間T₂的步驟包括：以所述后一階段之前各階段的實際研磨速率V_r1、V_r2、……、V_rn的平均值作為所述后一階段的參考研磨速率V_f2；根據所述后一階段的研磨厚度L₂與所述參考研磨速率V_f2計算所述實際研磨時間T₂，計算式為：T₂＝L₂/V_f2。

作為可選的技術方案，根據所述研磨速率V_r1計算其后一階段的實際研磨時間T₂的步驟包括：以所述后一階段之前各階段的實際研磨速率V_r1、V_r2、……、V_rn的根據所述各階段的研磨材料不同進行加權平均，作為所述后一階段的參考研磨速率V_f2；根據所述后一階段的研磨厚度L₂與所述參考研磨速率V_f2計算所述實際研磨時間T₂，計算式為：T₂＝L₂/V_f2。

作為可選的技術方案，所述各階段的時間長度為24小時。

作為可選的技術方案，所述后一階段的實際研磨時間T₂由T₂＝(V_s/V_f2)×T_s計算，其中V_s為標準研磨速率，T_s為標準研磨時間。

本發明的優點在于，通過在每個時間段內都測試實際的研磨速率，并在每個時間段都能夠根據前面的實際研磨速率去調整該階段的參考研磨速率，達到獲得精確的研磨厚度的目的。

【附圖說明】

附圖1是采用現有技術所獲得的研磨厚度隨時間變化的示意圖；

附圖2是本發明所述研磨方法具體實施方式的實施步驟示意圖；

附圖3是采用本發明所述具體實施方式所獲的產品的研磨厚度隨時間變化的示意圖。

【具體實施方式】

下面結合附圖對本發明提供的一種研磨方法的具體實施方式做詳細說明。