[發明專利]包含超晶格隔離層的大晶格失配外延材料緩沖層結構及其制備

有效

• 申請號: 200910198257.1
• 申請日: 2009-11-03
• 公開（公告）號: CN101814429A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 顧溢;張永剛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/203
• 分類號: H01L21/203
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;宋纓

1.一種采用分子束外延方法制備大晶格失配外延材料緩沖層的方法，所述大晶格失配外延材 料緩沖層為在InP襯底上生長In_0.8Ga_0.2As所采用的緩沖層，其中插入2層無應變超晶格隔離 層，每層無應變超晶格隔離層為In_xAl_1-xAs/In_xGa_1-xAs，0＜x＜1，包括以下具體步驟：

(1)在正式生長之前通過預備生長確定在InP襯底上生長晶格匹配的In_0.53Ga_0.47As時的束源爐 溫度；

(2)由與InP襯底晶格匹配的In_0.53Ga_0.47As材料的生長開始，通過同時升高In束源溫度和降低 Ga束源溫度，將組分漸變至In_0.62Ga_0.38As，生長時間1750秒，厚度為0.5±0.02μm；

(3)生長10周期In_0.62Al_0.38As/In_0.62Ga_0.38As超晶格，每周期中InAlAs和InGaAs厚度均為5nm；

(4)繼續生長組分漸變InGaAs緩沖層，通過同時升高In束源溫度和降低Ga束源溫度，將組 分漸變至In_0.71Ga_0.29As，生長時間1750秒，生長厚度為0.5±0.02μm；

(5)生長10周期In_0.71Al_0.29As/In_0.71Ga_0.29As超晶格，每周期中InAlAs和InGaAs厚度均為5nm；

(6)最后再生長0.5±0.02μm厚的組分漸變InGaAs緩沖層，通過同時升高In束源溫度和降低 Ga束源溫度，將組分漸變至In_0.8Ga_0.2As，生長時間1750秒，生長厚度為0.5±0.02μm。