[發(fā)明專(zhuān)利]金屬柵電極和金屬柵電極的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910198093.2
• 申請(qǐng)日: 2009-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102054674A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新鵬;張海洋;張世謀
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/28
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種金屬柵電極的制作方法，該方法包括：

在半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)上依次形成柵氧化層和“T”形結(jié)構(gòu)物質(zhì)；

在半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)上，未形成有所述柵氧化層和“T”形結(jié)構(gòu)物質(zhì)的位置沉積層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的高度與“T”形結(jié)構(gòu)物質(zhì)齊平；

將所述“T”形結(jié)構(gòu)物質(zhì)去除；

在去除“T”形結(jié)構(gòu)物質(zhì)的位置沉積形成“T”形金屬柵電極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述“T”形結(jié)構(gòu)物質(zhì)為多晶硅柵極或氮化物柵極。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述“T”形多晶硅柵極的制作方法包括：

在柵氧化層的表面沉積多晶硅層，在所述多晶硅層表面涂布光阻膠層，曝光顯影圖案化所述光阻膠層，定義“T”形多晶硅柵電極中的“一”部分的寬度；

以所述曝光顯影圖案化的光阻膠層為掩膜，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行第一步主刻蝕，刻蝕高度為“一”部分的高度；

對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行第二步主刻蝕，形成T”形多晶硅柵電極的“1”部分形狀；

過(guò)刻蝕T”形多晶硅柵電極之外的多晶硅層，形成“T”形多晶硅柵極。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一步主刻蝕的氣體包括含氟類(lèi)氣體和溴化氫HBr。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氟類(lèi)氣體為三氟甲烷CHF₃、二氟甲烷CH₂F₂、或四氟化碳CF₄。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述CH₂F₂的流量為10～100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘sccm。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述HBr的流量為20～500sccm。

8.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二步主刻蝕的氣體包括六氟化硫SF₆和氧氣，所述SF₆的流量為10～100sccm；

所述第二步主刻蝕時(shí)的偏置功率為300～800瓦。

9.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述過(guò)刻蝕的氣體包括HBr和氧氣，所述HBr的流量為50～250sccm。

10.一種金屬柵電極，該金屬柵電極具有“T”形結(jié)構(gòu)。