[發明專利]自對準的隧穿場效應晶體管的制備方法

無效

• 申請號: 200910197859.5
• 申請日: 2009-10-29
• 公開（公告）號: CN101699617A
• 公開（公告）日: 2010-04-28
• 發明（設計）人: 吳東平;張世理;王鵬飛;仇志軍;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種隧穿場效應晶體管的制備方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

①.提供一個已經形成淺槽隔離的半導體襯底；

②.在所述的襯底上形成器件的柵疊層結構；

③.通過光刻和刻蝕，在所述的柵疊層上形成第一個開口和第二個開口；第一開口的寬度S1小于第二開口的寬度S2；

④.淀積一層由第一種絕緣介質構成的犧牲介質層，該犧牲介質層厚度大于S1/2且小于S2/2；然后對其進行各向異性刻蝕；

⑤.注入離子形成第一種摻雜的區域；或者用各向同性的刻蝕方法將暴露的半導體襯底選擇性地刻蝕掉，然后半導體襯底進行選擇性外延生長或淀積生長新的填充材料層，該填充材料的摻雜通過生長時原位摻雜，或者生長后通過離子注入進行摻雜；

⑥.去除所述的犧牲介質層，之后淀積第二種絕緣介質，構成新的犧牲介質層，并對所述的第二種絕緣介質進行各向異性刻蝕形成側墻結構；

⑦.注入離子形成第二種摻雜的區域；本步驟注入的離子類型與步驟⑤注入的離子類型相反，并選擇合適的離子注入的能量和劑量，使激活后不改變步驟⑤中形成的摻雜類型；

⑧.在源區和漏區形成金屬層；?

⑨.進行電極隔離和電極形成，形成隧穿場效應晶體管。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的柵疊層結構至少擁有一個導電層和一個將導電層與半導體襯底隔離的絕緣層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征是，所述的導電層為多晶硅、無定形硅、鎢金屬、氮化鈦或者氮化鉭。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征是，所述的絕緣層為SiO₂、HfO₂、HfSiO、HfSiON或者SiON。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征是，步驟③中所述的第一個開口的寬度小于第二個開口的寬度。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的第一種絕緣介質為SiO₂、Si₃N₄或者它們之間相混合的絕緣材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的半導體襯底為單晶硅或絕緣體上的硅。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的在源區和漏區形成的金屬層為硅化?物，該硅化物是硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳、硅化鉑或鍺硅化鎳，或者這些硅化物中幾種的混合物。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的填充材料是p型摻雜的SiGe或者Ge，或者是n型摻雜的InAs或者InGaAs。

10.根據權利要求1的方法，其特征是，所述的第一種摻雜為n型，第二種摻雜為p型；或者所述的第一種摻雜為p型，第二種摻雜為n型。?