[發(fā)明專利]一種全差分E類功率放大器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910197849.1
• 申請日: 2009-10-29
• 公開（公告）號: CN101697478A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發(fā)明（設計）人: 陳磊;田亮;賴宗聲;馬和良;周進;黃愛波;王超;顧彬;阮穎;崔建明
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F3/45
• 代理公司: 上海藍迪專利事務所 31215
• 代理人: 徐筱梅

1.一種SiGe?BiCMOS全差分E類功率放大器，含IN1端、IN2端、OUT1端、OUT2端、BIAS1端、BIAS2端、BIAS3端、BIAS4端、VDD端和地線GND端，IN1端和IN2端為差分信號輸入端，OUT1端和OUT2端為差分信號輸出端，其特征在于該功率放大器還含第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、第四晶體管Q4、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第五電感L5、第六電感L6、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5及第六電容C6；第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3和第四晶體管Q4是SiGe?NPN管；第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4是NMOS管；其具體連接方式為：第一晶體管Q1的基極與IN1端連接、發(fā)射極與地線GND連接、集電極與第三晶體管Q3的基極連接；第二晶體管Q2的基極與IN2端連接、發(fā)射極與地線GND連接、集電極與第四晶體管Q4的基極連接；第三晶體管Q3的基極與第一晶體管Q1的集電極連接、發(fā)射極與地線GND連接、集電極與第三MOS管M3的漏極連接；第四晶體管Q4的基極與第二晶體管Q2的集電極連接、發(fā)射極與地線GND連接、集電極與第四MOS管M4的漏極連接；第一MOS管M1的柵極與第二晶體管Q2的集電極連接、源級與地線GND連接、漏極與第一晶體管Q1的集電極連接；第二MOS管M2的柵極與第一晶體管Q1的集電極連接、源級與地線GND連接、漏極與第二晶體管Q2的集電極連接；第三MOS管M3的柵極與第四晶體管Q4的集電極連接、源級與地線GND連接、漏極與第三晶體管Q3的集電極連接；第四MOS管M4的柵極與第三晶體管Q3的集電極連接、源級與地線GND連接、漏極與第四晶體管Q4的集電極連接；第一電感L1的一端與VDD端連接、另一端與第一晶體管Q1的集電極連接；第二電感L2的一端與VDD端連接、另一端與第二晶體管Q2的集電極連接；第三電感L3的一端與VDD端連接、另一端與第三晶體管Q3的集電極連接；第四電感L4的一端與VDD端連接、另一端與第四晶體管Q4的集電極連接；第五電感L5的一端與第一電容C1的一端連接、另一端與第三電容C3的一端連接；第六電感L6的一端與第二電容C2的一端連接、另一端與第四電容C4的一端連接；第一電阻R1的一端與BIAS1端連接、另一端與IN1端連接；第二電阻R2的一端與BIAS2端連接、另一端與IN2端連接；第三電阻R3的一端與BIAS3端連接、另一端與第三晶體管Q3的基極連接；第四電阻R4的一端與BIAS4端連接、另一端與第四晶體管Q4的基極連接；第一電容C1的另一端連接在電容C5的一端和地線GND之間；第二電容C2的另一端連接在電容C6的一端和地線GND之間；第三電容C3的另一端與OUT1端連接；第四電容C4的另一端與OUT2端連接；第五電容C5的另一端與OUT1端連接；第六電容C6的另一端與OUT2端連接。