[發(fā)明專利]校正生長(zhǎng)腔溫度的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910197816.7
• 申請(qǐng)日: 2009-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101696495A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊建濱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海電機(jī)學(xué)院
• 主分類號(hào): C23C16/52
• 分類號(hào): C23C16/52
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟1，繪制多晶硅折射率-溫度曲線；

步驟2，以步驟1繪制的多晶硅折射率-溫度曲線為依據(jù)，校正生長(zhǎng)腔的溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1具體包括以下步驟：

步驟1.1，選定一個(gè)起始溫度，在該溫度下，在生長(zhǎng)腔內(nèi)淀積多晶硅，并用光學(xué)方法測(cè)量該溫度下淀積的多晶硅的折射率，記錄第一組溫度和對(duì)應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；

步驟1.2，按一定規(guī)律調(diào)節(jié)溫度，在不同溫度下淀積多晶硅，同時(shí)用光學(xué)方法測(cè)量相應(yīng)溫度下多晶硅的折射率，記錄多組溫度和對(duì)應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；

步驟1.3，根據(jù)記錄的多組折射率和溫度數(shù)值，繪制多晶硅折射率-溫度相關(guān)性曲線。

3.如權(quán)利要求2所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.1中采用標(biāo)準(zhǔn)熱敏溫度計(jì)測(cè)量生長(zhǎng)腔溫度。

4.如權(quán)利要求2所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.1和步驟1.2中，淀積的多晶硅層的厚度為100～500埃。

5.如權(quán)利要求2所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.2中按等差遞增規(guī)律來(lái)調(diào)節(jié)溫度或按等差遞減規(guī)律來(lái)調(diào)節(jié)溫度。

6.如權(quán)利要求2所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.2中記錄的溫度和對(duì)應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)的組數(shù)為10組以上。

7.如權(quán)利要求2所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，步驟1.1和步驟1.2中，起始溫度的選擇以及溫度調(diào)節(jié)的范圍在400℃～800℃。

8.如權(quán)利要求1所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟2具體包括以下步驟：

步驟2.1，在潔凈的樣片硅片上淀積一層多晶硅，用光學(xué)方法測(cè)量該多晶硅層的折射率；

步驟2.2，對(duì)照步驟1繪制的多晶硅折射率-溫度曲線，找出該多晶硅層的折射率對(duì)應(yīng)的淀積溫度，該淀積溫度就是此時(shí)生長(zhǎng)腔的實(shí)際溫度；

步驟2.3，判斷生長(zhǎng)腔的實(shí)際溫度是否為所需要的標(biāo)準(zhǔn)溫度，如果是，執(zhí)行步驟2.5，如果不是，則執(zhí)行步驟2.4；

步驟2.4，調(diào)節(jié)生長(zhǎng)腔的溫度，重復(fù)以上步驟，直至生長(zhǎng)腔的實(shí)際溫度與所需要的標(biāo)準(zhǔn)溫度一致；

步驟2.5，取出樣片硅片。

9.如權(quán)利要求8所述的校正生長(zhǎng)腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟2.1中淀積的多晶硅層的厚度為100～500埃。