[發明專利]金屬化方法以及防止銅鋁合金出現腐蝕性缺陷的方法有效
| 申請號： | 200910197670.6 | 申請日： | 2009-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN102044485A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發明（設計）人： | 錢進;王曉東;王敏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 謝安昆;宋志強 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬化 方法 以及 防止 鋁合金 出現 腐蝕性 缺陷 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬化方法，包括如下步驟：
在芯片上已經形成的第n層銅鋁合金薄膜表面沉積鈍化層，n為自然數；
在鈍化層表面涂布光刻膠，并進行曝光顯影，形成光刻膠圖案；
以光刻膠圖案為掩膜對鈍化層進行蝕刻，蝕刻造成的凹坑底部要達到第n層金屬薄膜；
用剝除液對發生蝕刻反應的部分進行濕法剝除處理；然后再將芯片浸入盛放在容器的清洗液中，清洗液對發生蝕刻反應的部分進行濕法清洗，同時在盛放清洗液的容器中持續通入二氧化碳氣體；
在蝕刻造成的凹坑中沉積金屬阻擋層以及第n+1層銅鋁合金薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈍化層為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
3.一種防止銅鋁合金出現腐蝕性缺陷的方法，其特征在于，在對芯片的銅鋁合金薄膜上覆蓋的鈍化層蝕刻，并對發生蝕刻反應的部分進行濕法剝除處理之后，包括如下步驟：
將芯片浸入盛放在容器的清洗液中，清洗液對發生蝕刻反應的部分進行濕法清洗，同時在盛放清洗液的容器中持續通入二氧化碳氣體。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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