[發(fā)明專利]承載晶圓的制作方法和承載晶圓有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910197669.3 | 申請日： | 2009-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN102040185A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金明倫;吳秉寰;劉煊杰;傅煥松;陳宇涵 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 謝安昆;宋志強 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 承載 制作方法 | ||
1.一種承載晶圓的制作方法，該方法包括：
在晶圓表面沉積氮化硅；
通過光刻工藝在沉積有氮化硅的晶圓上定義出待刻蝕區(qū)域，所述待刻蝕區(qū)域為除邊緣區(qū)域以外的區(qū)域；
刻蝕掉所述待刻蝕區(qū)域上的氮化硅；
去除晶圓上剩余的光刻膠，并刻蝕掉所述待刻蝕區(qū)域上的指定厚度的硅襯底；
去除晶圓上剩余的氮化硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積的氮化硅的厚度為500～1000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕掉的硅襯底的厚度為10～100微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述邊緣區(qū)域為晶圓最外邊沿向晶圓中心方向延伸進(jìn)6～8毫米的區(qū)域。
5.一種承載晶圓，所述承載晶圓的邊緣區(qū)域的厚度大于非邊緣區(qū)域的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的承載晶圓，其特征在于，所述邊緣區(qū)域的厚度比所述非邊緣區(qū)域的厚度大10～100微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的承載晶圓，其特征在于，所述邊緣區(qū)域為晶圓最外邊沿向晶圓中心方向延伸進(jìn)6～8毫米的區(qū)域。
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