[發明專利]半導體晶圓的清洗方法無效
| 申請號： | 200910197631.6 | 申請日： | 2009-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN102039282A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發明（設計）人： | 湯舍予;謝寶強;周祖源 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/08 | 分類號： | B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 214061 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于，該方法至少包含如下步驟：
提供一晶圓，所述晶圓上具有刻蝕殘余物；
采用EKC溶液清洗所述晶圓，去除所述晶圓上的刻蝕殘余物；
采用一清洗劑清洗所述晶圓，去除所述晶圓上殘留的EKC溶液，所述清洗劑為酮基化合物且不含有羥基；
去除晶圓表面殘留的清洗劑。
2.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于，所述清洗劑選自于丙酮和丁酮中的一種或兩種。
3.根據權利要求1或2所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于，所述采用EKC溶液清洗晶圓的步驟中，實施清洗的時間是20至30分鐘。
4.根據權利要求1或2所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于，所述采用清洗劑清洗晶圓的步驟中，實施清洗的時間是5至10分鐘。
5.根據權利要求1或2所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于，所述去除晶圓表面殘留的清洗劑的步驟進一步包括：將所述晶圓移至快排沖洗槽中，采用去離子水對所述晶圓進行沖洗。
6.根據權利要求5所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于，所述采用去離子水對晶圓進行沖洗的時間是5至10分鐘。
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