[發明專利]一種淺溝槽隔離結構表面的研磨方法

有效

• 申請號: 200910197628.4
• 申請日: 2009-10-23
• 公開（公告）號: CN102044468A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 李健;胡駿
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/66;B24B9/06
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種淺溝槽隔離結構表面的研磨方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供多個相同的晶圓，所述晶圓表面具有溝槽，未形成溝槽的晶圓表面覆蓋有第一介質層，所述溝槽和第一介質層的表面進一步覆蓋有第二介質層；選取所述多個晶圓中的一個，研磨除去第二介質層至恰好露出第一介質層的表面；

測算溝槽中的第二介質層的表面與溝槽外第一介質層表面之間的高度差；

根據實際的高度差與目標值高度差之間的差值，修正研磨時間；

采用修正后的研磨時間對其余的晶圓實施研磨。

2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構表面的研磨方法，其特征在于，所述實際的高度差與目標值高度差之間的差值與時間修正值之間成正比，比值為第二介質層研磨速率的(1-1/A)倍，其中A為第二介質層研磨速率與第一介質層研磨速率的比值。

3.根據權利要求1或2所述的淺溝槽隔離結構表面的研磨方法，其特征在于，所述第一介質層的材料為氮化硅，第二介質層的材料為氧化硅。

4.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離結構表面的研磨方法，其特征在于，所述A的取值范圍是1.5至30。

5.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構表面的研磨方法，其特征在于，所述測算高度差進一步包括：

測量研磨后晶圓表面的溝槽的深度、第一介質層的厚度、溝槽中的第二介質層的厚度；

所述高度差等于溝槽的深度加上第一介質層的厚度，再減去溝槽中的第二介質層的厚度。