[發明專利]用于對晶片焊盤表面進行清洗的方法有效
| 申請號： | 200910197576.0 | 申請日： | 2009-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN102039281A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發明（設計）人： | 阮志剛;李劍;陳強;尼風云;鄧戰強 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/08 | 分類號： | B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 晶片 表面 進行 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于對晶片焊盤表面進行清洗的方法，所述方法包括如下步驟：
用含有氫氟酸的溶液對晶片進行第一次清洗，以去除晶片表面的鈍化層，露出焊盤；
使用去離子水對所述晶片表面進行第二次清洗；
使用異丙醇溶液對所述晶片表面進行第三次清洗；
對所述晶片進行干燥。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法還包括如下步驟：
對所述晶片進行電性驗收測試；
對所述晶片外觀進行檢查；
對所述晶片進行封裝。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述去離子水的溫度為40℃～50℃。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述第二次清洗的清洗時間為40～50秒。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述第三次清洗的清洗時間為10～20秒。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于將對所述晶片第二次清洗和第三次清洗合并，將所述晶片旋轉離心，并噴射去離子水和異丙醇的混合溶液。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于將對所述晶片第二次清洗和第三次清洗合并，將所述晶片浸泡在去離子水中漂洗抖動，然后噴IPA溶液。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述焊盤的材料是鋁。
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