[發(fā)明專利]用于制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910197572.2
• 申請日: 2009-10-21
• 公開（公告）號: CN102044492A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳永玉;陳建奇;張靜
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/8234;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L21/8246;H01L21/336;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/11;H
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括下列步驟：

提供一襯底；

在所述襯底上形成柵極氧化層以及柵電極；

在所述柵極氧化層和所述柵電極的側(cè)壁上形成間隙壁絕緣層，同時在所述襯底的背側(cè)形成第一絕緣層；

在所述間隙壁絕緣層的側(cè)壁上形成間隙壁，同時在所述第一絕緣層的背側(cè)形成第二絕緣層；

在所述襯底上形成源極和漏極；

在所述間隙壁上形成蝕刻停止層；

在所述蝕刻停止層上形成高應(yīng)力誘發(fā)層；

刻蝕所述高應(yīng)力誘發(fā)層以便將其薄化；

利用干法刻蝕去除所述薄化的高應(yīng)力誘發(fā)層和蝕刻停止層。

2.如權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述方法還包括在刻蝕所述高應(yīng)力誘發(fā)層以便將其薄化的步驟之后將半導(dǎo)體器件進(jìn)行快速熱退火。

3.如權(quán)利要求2所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述快速熱退火的溫度范圍為1000～1100攝氏度。

4.如權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣層的成分為SiO₂。

5.如權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第二絕緣層的成分為SiN。

6.如權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述高應(yīng)力誘發(fā)層的成分為SiN。

7.如權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述SiN生成的工藝條件為：源氣體的氣壓為5torr，功率為100w，所采用的源氣體優(yōu)選為SiH₄、NH₃與N₂的混合氣體，SiH₄的流速為50sccm，NH₃的流速為3200sccm，N₂的流速為10000sccm，溫度為480攝氏度，壓力為900MPa。

8.一種利用如權(quán)利要求1所述的方法制造的半導(dǎo)體器件的集成電路，所述集成電路選自隨機(jī)存取存儲器、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、同步隨機(jī)存取存儲器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路和掩埋式DRAM、射頻器件。

9.一種利用如權(quán)利要求1所述的方法制造的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備，其中所述電子設(shè)備選自個人計算機(jī)、便攜式計算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。