[發明專利]溝槽形成方法

有效

• 申請號: 200910197454.1
• 申請日: 2009-10-20
• 公開（公告）號: CN102044483A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 王琪;周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種溝槽形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底表面形成介質層；

在所述介質層表面形成保護層；

在保護層表面形成與溝槽對應的光刻膠圖形；

以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕保護層直至暴露出介質層；

以所述光刻膠圖形和所述保護層為掩膜，采用第一刻蝕工藝刻蝕第一厚度的介質層；

以所述光刻膠圖形和所述保護層為掩膜，采用與第一刻蝕工藝對應的第二刻蝕工藝刻蝕第二厚度的介質層，形成溝槽；所述第一刻蝕工藝與第二刻蝕工藝在襯底邊緣區域與襯底中心區域的均一性為互補關系。

2.如權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，所述介質層為單一覆層或者多層堆疊結構。

3.如權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，所述保護層材料選自氮摻雜的氧化硅。

4.如權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，刻蝕所述保護層的工藝參數為：刻蝕設備腔體壓力為30毫托至60毫托，頻率為13.6M的射頻功率為500瓦至1000瓦，頻率為2M的射頻功率為200瓦至400瓦，CF₄流量為每分鐘80標準立方厘米至每分鐘120標準立方厘米，CHF₃流量為每分鐘50標準立方厘米至每分鐘80標準立方厘米。

5.如權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，第一刻蝕工藝的具體工藝參數為：刻蝕設備腔體壓力為30毫托至60毫托，頻率為13.6M的射頻功率為800瓦至1200瓦，頻率為2M的射頻功率為200瓦至400瓦，CF₄流量為每分鐘250標準立方厘米至每分鐘300標準立方厘米。

6.如權利要求5所述的溝槽形成方法，其特征在于，與第一刻蝕工藝對應的第二刻蝕工藝的具體工藝參數為：刻蝕設備腔體壓力為30毫托至60毫托，偏壓功率為400瓦至600瓦，頻率為13.6M的射頻功率為500瓦至900瓦，頻率為2M的射頻功率為100瓦至400瓦，CF₄流量為每分鐘100標準立方厘米至每分鐘150標準立方厘米，C₄F₈流量為每分鐘30標準立方厘米至每分鐘80標準立方厘米，邊緣磁場強度為10高斯至50高斯。

7.如權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，第一刻蝕工藝具體工藝參數為：刻蝕設備腔體壓力為30毫托至60毫托，偏壓功率為400瓦至600瓦，頻率為13.6M的射頻功率為500瓦至900瓦，頻率為2M的射頻功率為100瓦至400瓦，CF₄流量為每分鐘100標準立方厘米至每分鐘150標準立方厘米，C₄F₈流量為每分鐘30標準立方厘米至每分鐘80標準立方厘米，邊緣磁場強度為10高斯至50高斯。

8.如權利要求7所述的溝槽形成方法，其特征在于，與第一刻蝕工藝對應的第二刻蝕工藝的具體工藝參數為：刻蝕設備腔體壓力為30毫托至60毫托，頻率為13.6M的射頻功率為800瓦至1200瓦，頻率為2M的射頻功率為200瓦至400瓦，CF₄流量為每分鐘250標準立方厘米至每分鐘300標準立方厘米。

9.如權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，所述第一厚度為所述溝槽深度的1/4至2/3。

10.如權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，所述第二厚度為所述溝槽深度的1/3至3/4。