[發明專利]分立柵存儲器件的形成方法

有效

• 申請號: 200910197448.6
• 申請日: 2009-10-20
• 公開（公告）號: CN102044498A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 李勇;劉艷;周儒領;黃淇生
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成柵介質層、浮柵多晶硅層、硬掩膜層；

對所述硬掩膜層、浮柵多晶硅層、柵介質層以及部分半導體襯底進行淺槽隔離刻蝕，形成隔離槽；

在所述隔離槽內填充電介質；

去除所述硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，所述浮柵多晶硅層的厚度為

3.根據權利要求1所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，還包括去除隔離槽內的部分電介質，使所述隔離槽內的電介質高度低于所述浮柵多晶硅層。

4.根據權利要求1所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，所述隔離槽內填充的電介質材料為氧化硅。

5.根據權利要求3或4所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，去除隔離槽內的部分電介質采用濕法刻蝕，使用的溶液為氫氟酸。

6.根據權利要求1所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮氧化硅、氮化硅材料或是包括氮氧化硅和氮化硅材料的雙層結構。

7.根據權利要求1或6所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，去除所述硬掩膜層采用濕法刻蝕，使用的溶液為硝酸。

8.根據權利要求1所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，所述隔離槽內填充電介質的方法為高密度等離子體化學氣相淀積或高深寬比工藝。

9.根據權利要求1所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，還包括：

在所述浮柵多晶硅層上形成層間絕緣層；

在所述層間絕緣層上形成控制柵多晶硅層；

在控制柵多晶硅層上形成介質層；

對所述介質層和控制柵多晶硅層進行光刻和刻蝕，形成控制柵；

在所述控制柵的兩側形成側墻；

對所述層間絕緣層和浮柵多晶硅層進行刻蝕，形成浮柵；

定義出源區，并對所述源區進行離子注入；

依次形成浮柵-字線間隙介質層、隧穿介質層、字線和擦除柵。

10.根據權利要求9所述的分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，所述控制柵多晶硅層的厚度為