[發(fā)明專利]刻蝕方法和刻蝕系統(tǒng)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910197444.8
• 申請(qǐng)日: 2009-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN102044431A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李建鳳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/66;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種刻蝕方法，包括：

提供基底，所述基底上形成有待刻蝕層，所述待刻蝕層上形成有掩膜層，所述掩膜層已經(jīng)被圖形化，所述待刻蝕層為透光材料；

提供所述待刻蝕層的厚度閾值；

設(shè)定初始刻蝕參數(shù)；

采用所述初始刻蝕參數(shù)對(duì)所述待刻蝕層進(jìn)行刻蝕，同時(shí)采用光干涉法檢測(cè)待刻蝕層的剩余厚度；

判斷所述待刻蝕層的剩余厚度是否落入所述厚度閾值范圍，若否，則繼續(xù)采用所述初始刻蝕參數(shù)進(jìn)行刻蝕，若是，停止采用所述初始刻蝕參數(shù)進(jìn)行刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述厚度閾值為待刻蝕層的厚度的20％～30％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述采用光干涉檢測(cè)法檢測(cè)待刻蝕層的剩余厚度為通過待刻蝕層的上表面與下表面的光程差計(jì)算出剩余出所述待刻蝕層的剩余厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述待刻蝕層為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其任意組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，在停止采用所述初始刻蝕參數(shù)進(jìn)行刻蝕之后，還包括調(diào)整刻蝕參數(shù)，采用調(diào)整后的刻蝕參數(shù)對(duì)待刻蝕層的剩余部分繼續(xù)進(jìn)行刻蝕步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕參數(shù)包括刻蝕氣體，刻蝕時(shí)間，刻蝕功率，刻蝕溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法為干法刻蝕或濕法刻蝕。

8.一種刻蝕系統(tǒng)，包括：

光源，用于發(fā)射單色光至待刻蝕層，所述待刻蝕層為透光材料，具有上表面與下表面；

光信號(hào)探測(cè)單元，探測(cè)并接收所述待刻蝕層的上、下表面反射的光線信號(hào)，并將所述反射光線信號(hào)傳輸至數(shù)據(jù)處理單元；

數(shù)據(jù)處理單元，根據(jù)待刻蝕層的上、下表面反射的光線信號(hào)計(jì)算所述待刻蝕層的剩余厚度，并將所述待刻蝕層的剩余厚度傳輸至控制單元；

控制單元，判斷所述待刻蝕層的剩余厚度是否落入預(yù)先輸入其內(nèi)部厚度閾值范圍，若否，則發(fā)出繼續(xù)的刻蝕信號(hào)至刻蝕單元；若是，則發(fā)出停止采用初始刻蝕參數(shù)進(jìn)行刻蝕的信號(hào)至刻蝕單元；

刻蝕單元，根據(jù)控制單元的信號(hào)對(duì)待刻蝕層進(jìn)行刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，所述單色光的波長范圍為320nm-400nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，所述厚度閾值為待刻蝕層厚度的20％～30％。