[發(fā)明專利]防止鎢插塞腐蝕的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910197374.6
• 申請(qǐng)日: 2009-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN102044481A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王心
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種防止鎢插塞腐蝕的方法，包括：提供形成有鎢插塞的半導(dǎo)體襯底，所述的鎢插塞與形成在鎢插塞上但并未完全覆蓋鎢插塞的金屬導(dǎo)線互連，采用弧光或紫外光照射所述金屬導(dǎo)線，至消除所述金屬導(dǎo)線上的正電荷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止鎢插塞腐蝕的方法，其特征在于，所述紫外光照射的波長(zhǎng)范圍為253.7nm，照射時(shí)間范圍為120s-240s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止鎢插塞腐蝕的方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線為鋁導(dǎo)線。

4.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供形成有鎢插塞的半導(dǎo)體襯底；

在所述的半導(dǎo)體襯底上依次形成金屬導(dǎo)線層和圖案化的光刻膠層；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，刻蝕金屬導(dǎo)線層形成金屬導(dǎo)線，所述的金屬導(dǎo)線位于鎢插塞上但并未完全覆蓋鎢插塞；

采用弧光或紫外光照射所述金屬導(dǎo)線，至消除所述金屬導(dǎo)線上的正電荷；

采用灰化工藝去除所述光刻膠層；

清洗所述金屬導(dǎo)線以及鎢插塞表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射的波長(zhǎng)范圍為253.7nm，照射時(shí)間范圍為120s-240s。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線為鋁導(dǎo)線。