[發(fā)明專利]一種硅上液晶及其鋁反射鏡的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910197249.5
• 申請日: 2009-10-15
• 公開（公告）號: CN102043294A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設計）人: 陸恩蓮;俞昌;楊春曉;張雅禮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;C23C14/16
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種用于硅上液晶的鋁反射鏡的制造方法，其中，包括如下步驟：

a.在襯底上形成鋁金屬層；

b.圖案化所述鋁金屬層；

c.在所述鋁金屬層上形成絕緣層；

d.去除位于所述鋁金屬層上方的部分所述絕緣層；

e.對鋁金屬層表面進行化學機械研磨。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鋁金屬層采用的鋁的純度高于99.5％。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鋁金屬層的厚度為3000～5000

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟a還包括如下步驟：

-采用物理氣相淀積在襯底上形成鋁金屬層。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述物理氣相淀積所采用的氣壓的取值范圍為1.5mT～205mT；所述物理氣相淀積所采用的交變電場的功率的取值范圍為10KW～20KW。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟d還包括如下步驟：

-采用蝕刻去除位于所述鋁金屬層上方的部分所述絕緣層。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蝕包括反應離子刻蝕。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟e所采用的化學機械研磨所采用的磨料含有苯甲酰三氟丙酮、三乙醇胺、以及結構中具有水溶性基團及S、P、Zn元素的高分子化合物；所述化學機械研磨所采用的拋光速率的取值范圍為20rpm～100rpm；所述化學機械研磨所采用的拋光墊的壓力的取值范圍為1psi～10psi。

9.一種硅上液晶，其特征在于，所述硅上液晶包括采用權利要求1～8任一項所述的方法制得的鋁反射鏡。