[發明專利]易軸垂直取向的人工合成反鐵磁體和贗自旋閥薄膜結構

有效

• 申請號: 200910197211.8
• 申請日: 2009-10-15
• 公開（公告）號: CN101692374A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 張宗芝;賀赫;馬斌;金慶原
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01F10/12
• 分類號: H01F10/12;H01F10/26;H01F10/32;H01F41/18;G11B5/39
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種具有垂直磁各向異性的人工合成反鐵磁體，其特征在于一共分為3層，自下而上依次是緩沖層、人工合成反鐵磁層和保護層：緩沖層采用Ta?/?Cu雙層膜，其中Ta層在下，厚度為1-10?nm，Cu層在上，厚度為?0.6-3.0?nm；人工合成反鐵磁層由兩個具有垂直磁各向異性的[Co/Ni]多層膜中間夾一非磁性的Ru層構成，其中Ru層的厚度為0.5-0.9?nm，Ru層下面的[Co/Ni]多層膜中，Ni層在下，厚度為0.50-0.70?nm，Co層在上，厚度為0.15-0.33?nm，該多層膜的周期數為2-8；Ru層上面的[Co/Ni]多層膜中，Co層在下，厚度為0.15-0.33?nm，Ni層在上，厚度為0.50-0.70?nm，該多層膜的周期數為3-5；保護層采用金屬Ta，厚度為1-10?nm。

2.?根據權利要求1所述的具有垂直磁各向異性的人工合成反鐵磁體，其特征在于在緩沖層與人工合成反鐵磁層之間依次設有自由層和Cu中間層，構成贗自旋閥；其中，自由層采用鐵磁材料[Ni/Co]垂直磁化多層膜，其中Ni層在下，厚度為0.50-0.70nm，Co層在上，厚度為0.15-0.33?nm，該多層膜的周期數為2-4，?Cu中間層厚度為2.1-3.3?nm。