[發(fā)明專利]一種等離子體浸沒注入劑量標定方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910197207.1
• 申請日: 2009-10-15
• 公開（公告）號: CN101672920A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳曉京;王一鵬;張昕
• 申請（專利權(quán)）人: 復旦大學
• 主分類號: G01T1/02
• 分類號: G01T1/02;H01J37/32
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸 飛;盛志范

1、一種等離子體浸沒注入劑量標定的方法，其特征在于首先通過示波器實時測定離子注入脈沖的電壓電流，在高壓脈沖電源和等離子腔體以及靶臺兩端形成的電路回路，從高壓探頭處測定脈沖電壓，在回路線路中測定相應脈沖內(nèi)的回路電流；然后采用積分回路電流并除去二次電子貢獻進行注入劑量計算；其計算的公式為Dim=δtf∫0tpIdt/eη0A,]]>其中η₀為離子注入的二次電子產(chǎn)生效率，δ為不同條件下二次電子產(chǎn)生效率的修正因子，它與不同的離子注入類型并且和不同的注入?yún)?shù)設(shè)置相關(guān)，t_p為脈沖電壓脈寬，I為實測電流，e為注入離子電量，A為靶材面積，t為整體注入時間，f為脈沖電壓頻率，D_im為單位面積離子注入劑量。

2、如權(quán)利要求1所述的離子注入劑量標定方法，其特征在于δ為注入?yún)?shù)的函數(shù)，具體形式表示為δ＝α(V/V₀)β(t_p/t_p0)γ(f/f₀)，其中，α、β、γ分別為二次電子效率與電壓、脈寬和頻率相關(guān)的修正因子；V₀、t_p0和f₀為對應η₀條件下的電壓、脈寬和頻率。

3、如權(quán)利要求2所述的離子注入劑量標定方法，其特征在于δ＝α(V/V₀)＝m(V/V₀)ⁿ，則有離子注入劑量標定公式Dim=m(V/V0)ntf∫0tpIdt/eη0A,]]>通過m，n系數(shù)的擬合，即可以在不同注入條件下簡便準確地標定等離子體浸沒注入的劑量。