[發(fā)明專利]共享字線的分柵式閃存

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910197119.1
• 申請(qǐng)日: 2009-10-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101694845A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹子貴;顧靖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L23/528;G11C16/26;G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種共享字線的分柵式閃存，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，其上具有間隔設(shè)置的源極區(qū)域和漏極區(qū)域；

溝道區(qū)，位于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間；

第一存儲(chǔ)位單元，位于所述溝道區(qū)與所述源極區(qū)域上方；

第二存儲(chǔ)位單元，位于所述溝道區(qū)與所述漏極區(qū)域上方；

字線，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元之間，所述第二部分位于第一部分上方并向兩側(cè)延伸至第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元上方，

其中，所述第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元為納米晶體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于分別對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加第一存儲(chǔ)位單元讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元讀取。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分柵式閃存，其特征在于對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加的第一存儲(chǔ)位單元讀取電壓分別為4V、0V和1.5V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元讀取。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于分別對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加第二存儲(chǔ)位單元讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元讀取。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分柵式閃存，其特征在于對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加的第二存儲(chǔ)位單元讀取電壓分別為4V、1.5V和0V，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元讀取。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于分別對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加第一存儲(chǔ)位單元編程電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編程。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分柵式閃存，其特征在于對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加的第一存儲(chǔ)位單元編程電壓分別為6V、4V和0V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編程。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于分別對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加第二存儲(chǔ)位單元編程電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的分柵式閃存，其特征在于對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加的第二存儲(chǔ)位單元編程電壓分別為6V、0V和4V，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于分別對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加存儲(chǔ)位單元擦除電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元擦除。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分柵式閃存，其特征在于對(duì)所述字線、所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域施加的存儲(chǔ)位單元擦除電壓分別為-5V、F和F，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元擦除。