[發明專利]垂直雙極晶體管及其制造方法無效
| 申請號： | 200910197113.4 | 申請日： | 2009-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN101692424A | 公開（公告）日： | 2010-04-07 |
| 發明（設計）人： | 董耀旗 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/265;H01L29/732;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 雙極晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種垂直雙極晶體管的制造方法，包括如下步驟：
在半導體基片表面形成一由CMOS晶體管的阱形成的集電極區域；
進行高壓輕摻雜漏極離子注入以于該集電極區域表面形成由輕摻雜漏極結構形成的基極區域；以及
進行源漏離子注入，以在該基極區域上形成該垂直雙極晶體管的發射極區域。
2.如權利要求1所述的垂直雙極晶體管的制造方法，其特征在于：該基極區域為利用高壓晶體管的輕摻雜漏極實現。
3.如權利要求2所述的垂直雙極晶體管的制造方法，其特征在于，該高壓輕摻雜漏極離子注入的結深大于該源漏離子注入的結深。
4.如權利要求1所述的垂直雙極晶體管的制造方法，其特征在于，該集電極區域形成于一襯底之上。
5.如權利要求4所述的垂直雙極晶體管的制造方法，其特征在于，把該集電極區域形成接觸孔的區域打開進行與該集電極區域相同摻雜類型的源漏離子注入，以確定該集電極區域的接觸孔區域。
6.如權利要求5所述的垂直雙極晶體管的制造方法，其特征在于，把該基極區域上需要形成接觸孔的區域打開，進行與該基極區域相同摻雜類型的源漏離子注入，以于該基極區域中確定該基極區域的接觸孔區域。
7.一種按照權利要求1所述方法制成的垂直雙極晶體管，其特征在于，該垂直雙極晶體管包括：
由一CMOS晶體管的阱形成的集電極區域；
于該集電極區域表面上由輕摻雜漏極結構形成的基極區域；
以及于該基極區域表面由該CMOS晶體管源漏離子注入形成的發射極區域。
8.如權利要求7所述的垂直雙極晶體管，其特征在于，該基極區域通過利用一高壓晶體管的高壓輕摻雜漏極來形成，該高壓輕摻雜漏極的結深比該發射極區域的結深略深。
9.如權利要求8所述的垂直雙極晶體管，其特征在于，該垂直雙極晶體管還包括一襯底，該集電極區域形成于該襯底表面。
10.如權利要求7所述的垂直雙極晶體管，其特征在于，該基極區域表面還形成有一接觸孔區域。
11.如權利要求10所述的垂直雙極晶體管，其特征在于，該集電極區域表面還形成有一接觸孔區域。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
