[發明專利]金屬插塞制作方法

有效

• 申請號: 200910197111.5
• 申請日: 2009-10-13
• 公開（公告）號: CN102044478A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 聶佳相;劉盛;楊瑞鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種金屬插塞制作方法，其特征在于，包括：提供已形成銅電路互連層的硅片，在銅電路互連層上形成介電層；

依序進行光刻，蝕刻工藝形成設計所需的溝槽；

在介電層和溝槽上形成阻擋層和種子層；

在種子層上電鍍形成第一銅金屬層；

第一次退火；

在第一銅金屬層上電鍍形成第二銅金屬層；

第二次退火；

平坦化第一銅金屬層和第二銅金屬層，形成金屬插塞。

2.根據權利要求1所述的金屬插塞制作方法，其特征在于，所述第一銅金屬層形成的厚度為1000～3000埃，電鍍材料為硫酸銅溶液。

3.根據權利要求1所述的金屬插塞制作方法，其特征在于，所述第二銅金屬層形成的厚度為3000～4000埃，電鍍材料為硫酸銅溶液。

4.根據權利要求1所述的金屬插塞制作方法，其特征在于，所述平坦化是指采用化學機械研磨去除第二銅金屬層以及部分第一銅金屬層、種子層和阻擋層。

5.根據權利要求1所述的金屬插塞制作方法，其特征在于，所述阻擋層的材料采用氮化鉭、氮化鈦、鈦或鉭中的一種或者混合物。

6.根據權利要求1所述的金屬插塞制作方法，其特征在于，所述種子層的材料為籽晶銅。

7.根據權利要求1所述的金屬插塞制作方法，其特征在于，所述第一次退火以及第二次退火的目標溫度為100～300攝氏度，退火時間為20～80秒。