[發(fā)明專利]一種薄膜太陽(yáng)能電池

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910197098.3
• 申請(qǐng)日: 2009-10-13
• 公開（公告）號(hào): CN101673778A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃素梅;王正安;孫卓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華東師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/042
• 分類號(hào): H01L31/042;H01L31/055;H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 上海藍(lán)迪專利事務(wù)所
• 代理人: 徐筱梅

1、一種薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于該電池由P型硅(P-Si)層、N型硅(N-Si)層、氮化硅(Si₃N₄)層、寬帶減反復(fù)合膜或光譜下轉(zhuǎn)換納米顆粒薄膜構(gòu)成。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于所述寬帶減反復(fù)合膜由多層納米薄膜材料疊加而成，膜層材料為Ag、Au、TiO₂、MgO、SiO₂或類金剛石(DLC)，其制備采用磁控濺射、真空蒸發(fā)、化學(xué)鍍、電化學(xué)鍍、浸鍍、旋涂或超聲鍍。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于所述寬帶減反復(fù)合膜為七層厚度不同、折射率呈梯度變化的多層結(jié)構(gòu)膜，并在傳統(tǒng)硅電池的氮化硅(Si₃N₄)上制備，折射率n＝1.0～3.0；厚度t＝60～200nm。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于所述光譜下轉(zhuǎn)換納米顆粒薄膜材料為Si、ZnO、ZnS、CdS、InP、InAs、PbSe、CdSe?CeO₂、Y₂O₃或Eu³⁺，其制備采用磁控濺射、真空蒸發(fā)、溶膠-凝膠法、化學(xué)鍍、電化學(xué)鍍、浸鍍、旋涂或超聲鍍。

5、根據(jù)權(quán)利要求1或4所述薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于所述光譜下轉(zhuǎn)換納米顆粒薄膜由1～3nm的硅顆粒構(gòu)成，其制備包括以下步驟：

(a)多孔硅層制備

采用穩(wěn)壓、恒流氧化法制備多孔硅層，其電流密度為5～50mA/cm²；氧化時(shí)間為2～2.5h；

(b)硅納米顆粒制備

利用超聲波將上述制備的多孔硅層從單晶硅表面剝離并粉碎，制得硅納米顆粒粉末，粉碎時(shí)間為10～15min；

(c)硅納米膜制備

利用旋涂法制備致密的硅(Si)納米膜，旋轉(zhuǎn)速度為200～1000r/min。