[發(fā)明專利]隔離結(jié)構(gòu)的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910197077.1
• 申請日: 2009-10-13
• 公開（公告）號: CN102044467A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張步新
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供依次形成有墊氧化層、腐蝕阻擋層和光刻膠層的半導(dǎo)體襯底，所述光刻膠層上定義有淺溝槽圖形；

以光刻膠層為掩膜，刻蝕腐蝕阻擋層、墊氧化層和半導(dǎo)體襯底，形成深度小于預(yù)定深度的淺溝槽；

向淺溝槽內(nèi)的半導(dǎo)體襯底注入氧離子，在淺溝槽底部的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成絕緣層，在淺溝槽側(cè)壁形成襯氧化層；

向淺溝槽內(nèi)填充滿絕緣氧化層；

去除腐蝕阻擋層和墊氧化層，形成由絕緣層和絕緣氧化層構(gòu)成的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的深度為預(yù)定深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述注入氧離子的方法為等離子體氧化注入。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述注入氧離子的劑量為10¹²/cm²～10²⁰/cm²，能量為1KV～300KV。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述預(yù)定深度為0.2μn～1μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述淺溝槽的深度為0.2μm～0.5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述襯氧化層的厚度為20埃～100埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述襯氧化層的材料為氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，填充絕緣氧化層的方法為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述絕緣氧化層的材料為氧化硅。