[發明專利]介質層的減薄方法

有效

• 申請號: 200910196935.0
• 申請日: 2009-10-09
• 公開（公告）號: CN102044472A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 羅飛;鄒立
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種介質層的減薄方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底表面形成介質層；

采用化學機械拋光工藝減薄介質層的第一厚度；

采用等離子體刻蝕工藝減薄介質層的第二厚度，所述減薄第二厚度后的介質層均一性高于所述減薄第一厚度后的介質層。

2.如權利要求1所述的介質層的減薄方法，其特征在于，所述襯底為多層基片、分級基片、絕緣體上硅基片、外延硅基片、部分處理的基片、圖案化或未被圖案化的基片。

3.如權利要求1所述的介質層的減薄方法，其特征在于，所述介質層為金屬前介質層或者是層間介質層。

4.如權利要求1所述的介質層的減薄方法，其特征在于，所述介質層為單一覆層或者為多層堆疊結構。

5.如權利要求1所述的介質層的減薄方法，其特征在于，所述第一厚度為介質層厚度的1/4至2/3。

6.如權利要求1所述的介質層的減薄方法，其特征在于，所述化學機械拋光工藝減薄介質層的具體參數為：選用SiO₂拋光液，拋光液的PH值為10至11.5，拋光液的流量為120毫升每分鐘至170毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉速為65轉每分鐘至80轉每分鐘，研磨頭的轉速為55轉每分鐘至70轉每分鐘，拋光工藝的壓力為200帕至350帕。

7.如權利要求1所述的介質層的減薄方法，其特征在于，所述第二厚度為介質層厚度的1/4至2/3。

8.如權利要求1所述的介質層的減薄方法，其特征在于，所述采用等離子體刻蝕工藝減薄介質層的具體參數為：刻蝕設備腔體壓力為25毫托至80毫托，靜電吸盤冷卻氣體氣壓為7托至15托，射頻功率為300瓦至600瓦，C4F8流量為每分鐘10標準立方厘米至每分鐘30標準立方厘米，CO流量為每分鐘50標準立方厘米至每分鐘200標準立方厘米，Ar流量為每分鐘200標準立方厘米至每分鐘400標準立方厘米，O2流量為每分鐘10標準立方厘米至每分鐘20標準立方厘米。