[發明專利]一種靜電放電保護電路有效
| 申請號： | 200910196869.7 | 申請日： | 2009-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN102034809A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 單毅 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靜電 放電 保護 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種靜電放電保護電路，其特征在于，包括：在PMOS管周圍設置N-well接觸，在NMOS管周圍設置P-well接觸，在所述N-well接觸和所述P-well接觸之間依次插入一條P+和一條N+，所述N-well接觸、一條P+、一條N+和P-well接觸形成SCR管。
2.根據權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述PMOS管的源極連接VDD，漏極連接PAD焊盤；所述NMOS管的漏極連接PAD焊盤，源極連接GND；所述SCR管的N-well接觸連接VDD，P+連接VDD，N+連接GND，P-well接觸連接GND。
3.根據權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述PMOS管的柵極連接VDD，所述NMOS管的柵極連接GND。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
