[發明專利]研磨方法

無效

• 申請號: 200910196726.6
• 申請日: 2009-09-29
• 公開（公告）號: CN102034703A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 李健;周祖源
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/316
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種研磨方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一晶圓，所述晶圓表面生長有突出表面的電極；

在所述晶圓具有電極的表面生長第一介質層，所述第一介質層將電極全覆蓋；

研磨所述第一介質層至恰好露出電極的表面；以及

在研磨后的第一介質層與電極的表面生長第二介質層。

2.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述第一介質層的材料與電極表面的材料不同。

3.根據權利要求2所述的研磨方法，其特征在于，所述第一介質層的材料為氧化硅，電極的表面材料為氮化硅。

4.根據權利要求2或3所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨所述第一介質層至恰好露出電極的步驟進一步包括：

開始研磨第一介質層，并同時監測研磨用馬達的負載；

當研磨用馬達的負載發生變化時，停止對第一介質層的研磨。

5.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨方法進一步包括：

在生長第二介質層之后，研磨第二介質層的表面。

6.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述第一介質層與所述第二介質層材料相同。

7.根據權利要求1或6所述的研磨方法，其特征在于，所述第一介質層與所述第二介質層的材料均為氧化硅。