[發明專利]接觸孔的光刻方法

有效

• 申請號: 200910196547.2
• 申請日: 2009-09-27
• 公開（公告）號: CN102034736A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 劉思南;林益世
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 王一斌;王琦

1.一種接觸孔的光刻方法，在產生有源區AA層的圖案時，表面旋涂光阻膠，并進行曝光、顯影，AA層表面的光刻圖案包括有效器件圖案和第一外框，其中，第一外框包括：第一上外框、第一下外框、第一左外框和第一右外框；在產生多晶硅柵PL層的圖案時，表面旋涂光阻膠，并進行曝光、顯影，PL層表面的光刻圖案包括有效器件圖案和第二外框，其中，第二外框包括：第二上外框、第二下外框、第二左外框和第二右外框，其特征在于，該方法還包括：

A、在產生接觸孔CT層的圖案時，表面旋涂光阻膠，并進行曝光，CT層表面的光刻圖案包括有效器件圖案和第三內框，其中，第三內框包括：第三上內框、第三下內框、第三左內框和第三右內框，第三內框圖案中心點為第三中心點；

B、量測第三中心點與第一上外框的距離、第三中心點與第一下外框的距離，若二者的距離差值的絕對值大于預先設定的套刻精度，則調整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，并轉回執行步驟A；否則，執行步驟C；

C、量測第三中心點與第二左外框的距離、第三中心點與第二右外框的距離，若二者的距離差值的絕對值大于預先設定的套刻精度，則調整CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，并轉回執行步驟A；否則，進行顯影。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟B中所述調整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量的方法包括：若第三中心點與第一上外框的距離、第三中心點與第一下外框的距離這兩者的差值大于預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對AA層向Y方向的正方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向Y方向的負方向移動；若第三中心點與第一下外框的距離、第三中心點與第一上外框的距離這兩者的差值大于預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對AA層向Y方向的負方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向Y方向的正方向移動。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟C中所述調整CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量的方法包括：若第三中心點與第二左外框的距離、第三中心點與第二右外框的距離這兩者的差值大于預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對PL層向X方向的負方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向X方向的正方向移動；若第三中心點與第二右外框的距離、第三中心點與第二左外框的距離這兩者的差值大于預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對PL層向X方向的正方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向X方向的負方向移動。