[發明專利]柵極保護方法和裝置有效
| 申請號： | 200910196546.8 | 申請日： | 2009-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN102034807A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 吳啟熙 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L23/52;H01L23/482;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極 保護 方法 裝置 | ||
1.一種柵極保護裝置，該裝置包括：場效應管MOS、第一二極管、第二二極管、第一金屬線、第一焊盤和第二焊盤；其中，
在初始狀態時，MOS的柵極通過第一金屬線分別連接至第一二極管的第一N極和第二二極管的第二P極，且第一二極管的第一P極接地，第二二極管的第二N極接地；
在終止狀態時，第一焊盤與MOS的柵極相連，第二焊盤同時與第一二極管的第一N極和第二二極管的第二P極相連，在第一焊盤和第二焊盤之間施加有電壓，第一金屬線中連接MOS和第一二極管的金屬線熔斷。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，當在終止狀態時，第一金屬線上的電流密度大于10000000安培每平方厘米。
3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，第一金屬線中連接MOS和第一二極管的金屬線的寬度大于等于0.09且小于等于0.2微米。
4.一種柵極保護方法，該方法包括：
在初始狀態時，將MOS的柵極通過第一金屬線分別連接至第一二極管的第一N極和第二二極管的第二P極，且將第一二極管的第一P極接地，將第二二極管的第二N極接地；
在終止狀態時，將第一焊盤與MOS的柵極相連，將第二焊盤同時與第一二極管的第一N極和第二二極管的第二P極相連，并在第一焊盤和第二焊盤之間施加電壓，使得第一金屬線中連接MOS和第一二極管的金屬線熔斷。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，當在終止狀態時，第一金屬線上的電流密度大于10000000安培每平方厘米。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，第一金屬線中連接MOS和第一二極管的金屬線的寬度大于等于0.09且小于等于0.2微米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
