[發明專利]基于OLED的植物生長光源及其制備方法

無效

• 申請號: 200910196516.7
• 申請日: 2009-09-25
• 公開（公告）號: CN101662001A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 魏斌;張勇;曹進;張建華;汪敏
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;A01G9/20
• 代理公司: 上海上大專利事務所（普通合伙）
• 代理人: 何文欣

1、一種基于OLED的植物生長光源，發出適合綠色植物葉綠素吸收的光，包括基板(1)，其特征是：在基板(1)的一側配置陽極(2)、陰極(6)以及它們之間的發光層(4)，在陽極(2)和發光層(4)之間配置空穴注入層和/或空穴傳輸層(3)，在陰極(6)和發光層(4)之間配置電子注入層和/或電子傳輸層(5)，發光層(4)的材料能使光譜為400～480nm的藍紫光區和600～680nm的紅橙光區。

2、根據權利要求1所述的基于OLED的植物生長光源，其特征是：所述發光層(4)由藍光材料層和紅光材料層并列同一層構成。

3、根據權利要求1所述的基于OLED的植物生長光源，其特征是：所述在發光層(4)為先配置一層藍光材料層，再配置一層紅光材料層。

4、根據權利要求1所述的基于OLED的植物生長光源，其特征是：所述發光層(4)為一層藍光材料層；在所述基板(1)與陽極(2)相反的一側配置一層紅色轉換層(7)，該紅色轉換層(7)能將部分藍光轉換為紅光，其材料為紅光材料。

5、根據權利要求2、或3、或4所述的基于OLED的植物生長光源，其特征是：所述藍光層的材料是以下材料中的任一種：二芳香基蒽、二苯乙烯芳香族、芘的衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、三芳基胺衍生物、雙(2-甲基-8-羚基喹啉)(4-苯代苯酚)合鋁等羥基喹啉系金屬絡合物、4，4’-雙(2，2-二芳基乙烯基)聯苯衍生物等發光波峰在430nm～450nm的藍光主體材料，以及在主體材料中摻雜有深藍光發光客體材料的摻雜物。客體材料為下面材料中的一種：8-羥基喹啉硼化鋰、聯奈衍生物(如4”，4”’-N，N-diphenylamine-4，4’-diphenyl-1，1’-binaphthyl)、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、二乙烯基亞芳基衍生物、三苯乙烯基亞芳基衍生物、三芳基乙烯衍生物、四芳基丁二烯衍生物等。主體材料和客體材料的重量配比為1％～3％。

6、根據權利要求2、或3所述的基于OLED的植物生長光源，其特征是：所述紅光材料層的材料是以下材料中的任一種：羅丹明類染料摻雜物、咔啉類及其稀有金屬配合物、多環芳香族碳氫化合物、銥金屬錯合物(Iridium?quinoxaline?complexes)、三胺衍生物、四胺衍生物、聯苯胺衍生物、三芳基胺衍生物、芳撐二胺衍生物、苯二胺衍生物、對苯二胺衍生物、間苯二胺衍生物、1，1-雙(4-二芳基氨基苯基)環己烷衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)聯苯衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷衍生物、4，4”-二(二芳基氨基)三聯苯衍生物、4，4”’-二(二芳基氨基)四聯苯衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯醚衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷衍生物等發光波峰在660nm～680nm的紅光熒光或紅光磷光材料，以及在主體材料中摻雜有紅光發光客體材料的摻雜物。客體材料為下面材料中的一種：并四苯衍生物、并五苯衍生物、芘衍生物、銪等的金屬絡合物、苯并嗶喃衍生物、4-(兩個吸電子基取代的亞甲基)-4H-吡喃衍生物、4-(兩個吸電子基取代的亞甲基)-4H-噻喃衍生物、羅丹明衍生物、苯并噻噸衍生物、卟琳衍生物、perifranthene衍生物。主體材料和客體材料的重量配比為1％～10％。

7、一種基于OLED的植物生長光源及其制備方法，其特征是：工藝步驟如下：

a.制備基板(1)；

b.通過濺射法、或離子電鍍法、或真空蒸鍍法、或旋涂法、或電子束蒸鍍法，在基板(1)上形成陽極材料的薄膜，構成陽極層(2)；

c.通過濺射法、或離子電鍍法、或真空蒸鍍法、或旋涂法、或電子束蒸鍍法，使空穴注入材料和/或空穴傳輸材料在陽極層(2)上成膜，形成空穴注入層和/或空穴傳輸層(3)；

d.通過濺射法、或離子電鍍法、或真空共蒸鍍法、或旋涂法、或電子束共蒸鍍法，使發光材料在所述的空穴注入層和/或空穴傳輸層(3)上成膜形成發光層(4)；

e.通過濺射法、或離子電鍍法、或真空蒸鍍法、或旋涂法、或電子束蒸鍍法，使電子傳輸材料和/或電子注入材料在發光層(4)上成膜，形成電子傳輸層和/或電子注入層(5)；

f.通過真空蒸鍍法、或濺射法、或離子蒸鍍法、或離子電鍍法、或電子束蒸鍍法，將陰極材料在所述的電子傳輸層和/或電子注入層(5)上成膜形成陰極層(6)。