[發明專利]將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法

無效

• 申請號: 200910196328.4
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102034692A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 陳炯
• 申請（專利權）人: 上海凱世通半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/265;H01L21/301
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 徐茂泰;張妍

1.一種將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟1、將氣體離子注入SiC主體的表層，注入后，SiC主體被氣體

層分為上部薄層和下部厚層兩部分；

步驟2、在需要移植SiC的襯底載體的表面生長一層氧化層；

步驟3、將注入了氣體層的SiC主體倒置，使上部薄層朝下，通過襯底載體表面的氧化層將該倒置的SiC主體與載體粘結在一起；

步驟4、加熱，使氣體膨脹，最終使SiC主體的上部薄層和下部厚層分離；

步驟5、高溫退火，使SiC晶體修補完全。

2.如權利要求1所述的將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，所述的步驟1中，注入深度范圍為2um～10um。

3.如權利要求1所述的將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，所述的步驟1中，采用氫離子和氦離子注入。

4.如權利要求3所述的將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，所述氫離子的劑量為10¹⁷～10¹⁸，能量為100keV～400keV；所述氦離子的劑量為5×10¹⁶～5×10¹⁷，能量為100keV～400keV。

5.如權利要求1所述的將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，所述的步驟2中，所述的氧化層為SiO₂。

6.如權利要求1所述的將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，所述的步驟4中，加熱到800～1400℃溫度范圍。

7.如權利要求1所述的將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，在所述步驟4和步驟5之間，本方法還包含步驟4.1：將SiC的上表面磨平。

8.如權利要求7所述的將碳化硅薄層移植到其他襯底上的方法，其特征在于，所述的步驟4.1中，采用能量為40～100keV的氬離子將SiC的上表面磨平。