[發明專利]分裂柵間氧化層的制造方法無效
| 申請號： | 200910196205.0 | 申請日： | 2009-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN102024692A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發明（設計）人： | 涂火金;沈憶華;宋化龍;李亮 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 分裂 氧化 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種分裂柵間氧化層的制造方法，其特征在于，包括：使用快速熱制程設備進行原位水汽生成，以在分裂柵間的公共源極區表面形成氧化層。
2.如權利要求1所述的分裂柵間氧化層的制造方法，其特征在于，所述原位水汽生成所形成的氧化層為遂穿柵氧化層。
3.如權利要求1所述的分裂柵間氧化層的制造方法，其特征在于，所述原位水汽生成的溫度為950℃～1200℃。
4.如權利要求1所述的分裂柵間氧化層的制造方法，其特征在于，所述原位水汽生成的壓力為0.1Torr～20Torr。
5.如權利要求2所述的分裂柵間氧化層的制造方法，其特征在于，所述遂穿柵氧化層形成于分裂柵間的公共源極區域表面的遂穿氧化層上。
6.如權利要求5所述的分裂柵間氧化層的制造方法，其特征在于，所述遂穿氧化層通過依次采用快速熱氧化、高溫熱氧化的方法形成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910196205.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：用于在線搜索和廣告的關鍵詞表達式語言
- 下一篇：操作系統快速運行命令
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
