[發明專利]一種溶液濃度的監測方法

無效

• 申請號: 200910196114.7
• 申請日: 2009-09-22
• 公開（公告）號: CN102023200A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 劉衛;魏廣生
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種溶液濃度的監測方法，所述溶液中包含氨水、過氧水和去離子水，所述溶液的監測方法包括：

提供所述溶液；

提供至少一片多晶硅控片，并測量所述多晶硅控片的多晶硅層厚度，得到所述多晶硅層的第一厚度；

將所述多晶硅控片在所述溶液中浸泡第一時間；

取出所述多晶硅控片，測量所述多晶硅層厚度，得到所述多晶硅層的第二厚度，所述多晶硅層的第一厚度減去所述多晶硅層的第二厚度后再除以第一時間，得到所述多晶硅層的第一刻蝕速率，判斷所述第一刻蝕速率是否超出刻蝕速率預定范圍，如果所述第一刻蝕速率超出刻蝕速率預定范圍，則判斷所述溶液的濃度超出標準，如果所述第一刻蝕速率未超出刻蝕速率預定范圍，則判斷所述溶液的濃度未超出標準。

2.根據權利要求1的溶液濃度的監測方法，其特征在于，如果所述第一刻蝕速率未超出刻蝕速率預定范圍，將所述多晶硅控片在所述溶液中浸泡第二時間；取出所述多晶硅控片，測量所述多晶硅層厚度，得到所述多晶硅層的第三厚度，所述多晶硅層的第二厚度減去所述多晶硅層的第三厚度后再除以第二時間，得到所述多晶硅層的第二刻蝕速率，判斷所述第二刻蝕速率是否超出刻蝕速率預定范圍；如果所述第二刻蝕速率超出刻蝕速率預定范圍，則判斷所述溶液的濃度超出標準，如果所述第二刻蝕速率未超出刻蝕速率預定范圍，則判斷所述溶液的濃度未超出標準。

3.根據權利要求2的溶液濃度的監測方法，其特征在于，如果所述第二刻蝕速率未超出刻蝕速率預定范圍，對所述溶液進行第三刻蝕速率、第四刻蝕速率......的測量及判斷。

4.根據權利要求2的溶液濃度的監測方法，其特征在于，如果所述第二刻蝕速率未超出刻蝕速率預定范圍，循環執行將所述多晶硅控片在所述溶液中浸泡、測量所述多晶硅層的厚度，直到第N刻蝕速率超出所述刻蝕速率預定范圍，判斷所述溶液的濃度超出標準。

5.根據權利要求3或4的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述第一時間、第二時間......第N時間相等。

6.根據權利要求5的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述第一時間、第二時間......第N時間相等時，根據溶液濃度和溫度選擇適當的第一時間，溶液越濃所述第一時間越短，溶液越稀所述第一時間越長，溶液溫度越高所述第一時間越短，溶液溫度越低所述第一時間越長。

7.根據權利要求6的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述溶液中氨水、過氧水、去離子水的體積比為1∶2∶50，所述溶液溫度為25度至35度時，所述多晶硅層的厚度范圍為1500埃至2500埃，所述第一時間為840秒。

8.根據權利要求7的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述多晶硅層為未摻雜的多晶硅層。

9.根據權利要求8的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述第一時間為60秒。

10.根據權利要求3或4的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述第一時間、第二時間......第N時間成遞減的等差數列。

11.根據權利要求10的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述多晶硅層為未摻雜的多晶硅層。

12.根據權利要求11中任一項所述的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述多晶硅控片的數量為3至5片。

13.根據權利要求12所述的溶液濃度的監測方法，其特征在于，每次測量同一多晶硅控片時，使用同一測量機臺。

14.根據權利要求1-4中任一項所述的溶液濃度的監測方法，其特征在于，每次測量同一多晶硅控片時，使用同一測量機臺。

15.根據權利要求14的溶液濃度的監測方法，其特征在于，還包括：

確定所述溶液的允許濃度范圍；

確定所述允許濃度范圍的最大濃度所對應的刻蝕速率，即最大刻蝕速率；確定所述允許濃度范圍的最小濃度所對應的刻蝕速率，即最小刻蝕速率，則所述最大刻蝕速率和所述最小刻蝕速率之間的范圍為刻蝕速率預定范圍。

16.根據權利要求15的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述最大刻蝕速率是通過多次測量取平均值得到的。

17.根據權利要求15或16的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述最小刻蝕速率是通過多次測量取平均值得到的。

18.根據權利要求17的溶液濃度的監測方法，其特征在于，所述最小刻蝕速率和/或最大刻蝕速率是通過3-5次測量取平均值得到的。