[發(fā)明專利]多晶硅線、半導(dǎo)體器件以及存儲器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910195977.2
• 申請日: 2009-09-18
• 公開（公告）號: CN102024787A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志國;楊帆;蒙飛;林競堯;王培仁
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L27/10
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種多晶硅線，其特征在于，包括：

形成于第一電路區(qū)上的多晶硅線第一部分；

由所述多晶硅線第一部分向第一電路區(qū)外延伸，并且與第二電路區(qū)連接的多晶硅線第二部分；

所述多晶硅線第二部分的線寬大于多晶硅線第一部分的線寬。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅線，其特征在于，所述多晶硅線的表面形成有金屬硅化物層。

3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅線，其特征在于，所述金屬硅化物層的材質(zhì)為Co_xSi_y。

4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅線，其特征在于，相鄰多晶硅線之間的距離不小于特征尺寸。

5.如權(quán)利要求4所述的多晶硅線，其特征在于，若多晶硅線第一部分向第一電路區(qū)外延伸，則其兩側(cè)相鄰的多晶硅線第一部分停留在第一電路區(qū)內(nèi)。

6.如權(quán)利要求4所述的多晶硅線，其特征在于，所述多晶硅線第一部分延伸出第一電路區(qū)一定距離后，線寬增大形成多晶硅線第二部分。

7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅線，其特征在于，所述多晶硅線第二部分與多晶硅線第一部分的中心線相一致。

8.如權(quán)利要求7所述的多晶硅線，其特征在于，所述特征尺寸為90nm，多晶硅線第一部分的線寬不小于90nm，保持上述線寬延伸出第一電路區(qū)的距離范圍為30nm～100nm。

9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅線，其特征在于，所述多晶硅線第二部分的線寬范圍為100nm～150nm。

10.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的多晶硅線。

11.一種存儲器電路，其特征在于，包括：

存儲器陣列區(qū)以及外圍電路區(qū)；

形成于存儲器陣列區(qū)上的多晶硅線第一部分；

由所述多晶硅線第一部分向存儲器電路區(qū)外延伸，并且與外圍電路區(qū)連接的多晶硅線第二部分；

所述多晶硅線第二部分的線寬大于多晶硅線第一部分的線寬。

12.如權(quán)利要求11所述的存儲器電路，其特征在于，所述多晶硅線的表面形成有金屬硅化物層。

13.如權(quán)利要求12所述的存儲器電路，其特征在于，所述金屬硅化物層的材質(zhì)為Co_xSi_y。

14.如權(quán)利要求11所述的存儲器電路，其特征在于，相鄰多晶硅線之間的距離不小于特征尺寸。

15.如權(quán)利要求14所述的存儲器電路，其特征在于，若多晶硅線第一部分向存儲器陣列區(qū)外延伸，則其兩側(cè)相鄰的多晶硅線第一部分停留在存儲器陣列區(qū)內(nèi)。

16.如權(quán)利要求14所述的存儲器電路，其特征在于，所述多晶硅線第一部分延伸出存儲器電路區(qū)一定距離后，線寬增大形成多晶硅線第二部分。

17.如權(quán)利要求16所述的存儲器電路，其特征在于，所述多晶硅線第二部分與多晶硅線第一部分的中心線相一致。

18.如權(quán)利要求17所述的存儲器電路，其特征在于，所述特征尺寸為90nm，多晶硅線第一部分的線寬不小于90nm，保持上述線寬延伸出存儲器電路區(qū)的距離范圍為30nm～100nm。

19.如權(quán)利要求18所述的存儲器電路，其特征在于，所述多晶硅線第二部分的線寬范圍為100nm～150nm。